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0023电子元器件新手交流群有没有啊,qq微信都可以,留下联系方式。1300LDO,即低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator),是一种用于保持输出电压稳定的线性稳压器。其核心思想是通过一个调整管(通常是PMOS或NMOS晶体管)来调节输出电压,使其在输入电压变化时仍能保持稳定。 LDO的主要特点: 低压差:LDO的压差较小,通常在几百毫伏到几伏之间。这使得它在低电压应用中非常受欢迎。 线性特性:LDO内部通常使用晶体管(如PMOS或NMOS)工作于线性电阻区域,确保输出电压与输入电压成线性关系。 稳压器功能:LDO的主要用010明佳达,星际金华供求 现场可编程门阵列:LFD2NX-40-9BG196C,LFD2NX-40-9BG256C,LFD2NX-40-8BG196C LFD2NX-40-9BG196C 256-LFBGA 表面贴装 500 MHz 现场可编程门阵列 IC 产品描述 LFD2NX-40-9BG196C 包括多达 39k 逻辑单元、56 个乘法器 (18×18)、2.9 Mb 嵌入式存储器(由 EBR 和 LRAM 块组成)、分布式存储器、DRAM 接口(支持 DDR3、DDR3L、LPDDR2 和 LPDDR3,最高 1066 Mbps × 16 位数据宽度)。 功能特点 高速差分高达 1.5 Gbps 支持 LVDS、Soft D-PHY (Tx/Rx)、LVDS 7:1 (Tx/Rx)、SLVS (Tx/Rx)、subLVDS (Rx) 支持 SGMII0ADSP-BF606KBCZ-4:工作频率高达800 MHZ的Blackfin双核处理器,适合高性能数字信号处理应用,CSPBGA-349 类型:双核 接口:CAN,EBI/EMI,以太网,I2C,SPI,SPORT,UART/USART,USB OTG 时钟速率:400MHz 非易失性存储器:ROM(64kB) 片载 RAM:552kB 电压 - I/O:1.8V,3.3V 电压 - 内核:1.25V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:349-LFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:349-CSPBGA(19x19) 星际金华,明佳达供应,回收ADSP-BF606KBCZ-4 _ ADSP-BF527KBCZ-6A【Blackfin处理器】。0产品品牌:永嘉微电/VINKA 产品型号:VK36Q4 封装形式:DFN10L VK36Q4具有4个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较 高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了4路直接输出功能。芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压抑制比,可 减少按键检测错误的发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种0明佳达,星际金华供求 碳化硅模块:MSC100SM70JCU3,MSC130SM120JCU3,MSC40SM120JCU3 汽车 IGBT 模块 MSC100SM70JCU3 N 沟道 IGBT 碳化硅模块 365W 产品描述 MSC100SM70JCU3 是碳化硅 (SiC) 肖特基二极管、降压斩波器 700 V、124 A 全碳化硅 (SiC) 电源模块。 规格 Vgs - 栅极源电压:- 10 V,+ 25 V 安装方式:螺钉安装 封装/外壳:SOT-227 最低工作温度:- 55 C 最高工作温度+ 175 C 配置单 下降时间:20 ns MSC130SM120JCU3 全碳化硅功率模块 1200V 173A N 沟道 产品描述 MSC130SM120JCU3 是降压斩波器 SiC MO300TE Connectivity标准FASTON母端是镀锡黄铜端子和高温镀镍钢制端子,采用直式和旗形配置,带有各种压接筒。该器件的设计支持插接公端与卷边(而非剪切边)插接,因此可支持低插入力。标准FASTON母端经过第六插接周期而非第一插接周期的性能测试,因此可在不更换端子的情况下进行断开和重新连接。采用新型2D压接的TE Connectivity标准FASTON端子支持客户对四个端子实现标准化,以涵盖各种导线尺寸,从而可通过避免多次更换来提高生产率。该2D标准FASTON3有库存的 q或V7208需要的拉人#拉人#00000描述 CMS8S69xx是增强型1T 8051 Flash MCU,最快支持48MHz外设运行,24MHz内核运行,工作电压2.1V-5.5V,GPIO最多可达22个,内置2路模拟比较器,2路运算放大器,1路可编程增益放大器,提供6通道带死区控制的互补型PWM输出 ,最多达22路12位ADC,2个UART, 1个SPI, 1个I2C。工业级标准设计,可工作在-40℃至-105℃,并提供SSOP20、TSSOP20,QFN20,SSOP24及QFN24封装。 特性 • 增强型1T 8051 • 工作电压:2.1V-5.5V @Fsys=48MHz,Fcpu=24MHz • 工作温度:-40℃ - 105℃ • 工作频率:Fsys=48MHz,10明佳达,星际金华供求 MSC050SDA120BCT,MSC050SDA120S,MSC2X50SDA120J碳化硅二极管 SiC 肖特基 MSC050SDA120BCT 整流器单二极管 TO-247-3 集成电路芯片 产品描述 MSC050SDA120BCT 是一款 1200 V、50 A SiC 双共阴极 SBD,采用三引脚 TO-247 封装。 应用 功率因数校正 (PFC) 反并联二极管 开关模式电源 逆变器/转换器 1200V 整流器单二极管 MSC050SDA120S 集成电路芯片 TO-268-3 产品描述 MSC050SDA120S 是零恢复碳化硅肖特基二极管,1200V 50A 表面贴装,封装为 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 连接片)。00USB Type-C and PD Source Controller| 1、特性*集成高性能MCU ☆ 内置64KB程序存储器FLASH ☆ 2KB数据存储器(SRAM)* 模拟特性 ☆ 集成恒压补偿环路(CV loop) ☆ 集成恒流补偿环路(CC loop) ☆ 集成NMOS Charge Pump 驱动电路 ☆ 内置VBUS和VC引脚快速放电电路 ☆ 内置线路阻抗补偿 ☆ 内置12-bit高精度ADC ☆ 内置NTC检测电路* 多重保护功能、高可靠性 ☆ 输出过压、欠压保护 ☆ 输出过流、短路保护 ☆ 过温保护 ☆ CC1、CC2、DP、DM支持30V耐压* 工作范围 ☆ 工作电压范围:3.0 ~141明佳达,星际金华供求 SPC5567MVR132,STM32L412RBI6微控制器,10122665-101LF背板连接器 2MB FLASH SPC5567MVR132 微控制器 MCU PBGA416 32 位微控制器芯片 产品描述 SPC5567MVR132 是 32 位 MCU,Power Arch 内核,2MB 闪存,132MHz,-40/+125degC,汽车级,PBGA 416。 功能特点 针对需要复杂、实时控制的中端发动机管理和工业用例 支持提高燃油效率和改善排放 系统性能是前代 MPC500 的五倍 促进传统软件架构的再利用 64-UFBGA 表面贴装 STM32L412RBI6 单核 80MHz 微控制器 IC 产品描述 STM32L412RBI61110000产品型号: VKD233HH 产品品牌:永嘉微电 /VINKA 封装形式: SOT23-6 产品年份:新年份 概述 VKD233HH具有1个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了1路输出功能,可通过IO脚选择输出电平,输出模式。芯片内部集成了稳压电路,提供稳定的电压给触摸检测,可减少按键检测错误的发生,提高了可靠性。 此触摸芯片具有环境变化自校准功能,低待机电流,宽工0成都研发中心主攻方向为锂电充电管理芯片、2-6节带平衡充高精度锂电保护芯片、工业及车规级应用的12-18节单体采样管理模块及MBS等。 精通电源管理等集成电路设计和版图设计。 上海研发公司主攻方向为消费级的AD-DC、DC-DC及部分车规应用的DC-DC产品。 公司主营业务: 1.电源管理芯片:DC-DC、AC-DC、LED电源驱动芯片、LED智能调光变光驱动芯片等。 2.锂电应用及保护芯片:单节及多节锂电充电管理芯片、单节及多节带平衡充高精度锂电保护芯片、锂电转0HDTM-4-06-1-S-VT-0-1 _ HDTM-3-08-1-S-VT-0-1:XCede® HD 1.80 mm高密度背板垂直插头 型号:HDTM-4-06-1-S-VT-0-1(HDTM-3-08-1-S-VT-0-1) 封装:48POS 类型:高密度背板垂直插头 星际金华,明佳达供应,回收HDTM-4-06-1-S-VT-0-1【XCede® HD 1.80 mm高密度背板垂直插头】HDTM-3-08-1-S-VT-0-1。 HDTM-4-06-1-S-VT-0-1(HDTM-3-08-1-S-VT-0-1)) 产品属性: 连接器用途:背板 连接器类型:接头,公型刀片 连接器样式:XCede® 针位数:48 加载的针位数:所有 列数:8(6) 安装类型:通孔 端接:压配 触头表0铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征:120V,200ARDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V TYP:5.0mΩRDS(ON)<7.5mΩ@VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻 应用:电机驱动器直流-直流转换器0专业出售被动元器件,电阻风华 三星 国巨 三环电容风华 厚声 国巨 旺诠 富捷,价格美丽,量大优惠10描述: AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征: VDS=30V ID =180A RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V (Type:2.1mΩ) 应用: 电池保护 负载开关 不间断电源0AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征:650V,7ARDS(ON)<1.35Ω@VGS=10V TYP:1.1Ω快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt能力应用:开关模式电源(SMPS)不间断电源(UPS)功率因数校正(PFC)PWM应用1RT6258是具有5A电流负载能力的电流模式Buck转换器,工作电压范围宽,调整特性好,瞬态响应速度快,易于实现回路稳定。 RT6258采用逐周期电流限制保护和过热关机保护,有软启动设计可降低启动期间的输入电流冲击,关机模式下的电流消耗仅有 25μA。 RT6285在应用中需要的外围元件很少,可构成结构紧凑的方案,其封装形式为带有外露式散热焊盘的SOP-8。 关键特性: 5A负载能力 内建软启动 内建110mΩ MOSFET功率开关 内建补偿,外围元件数量少 效率高达90%