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4MOS管在电路设计的选择应用一直都在国产化,而对于TOLL封装不仅有IPT015N10N5,更有国产FHL385N1F1A型号MOS管!
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02小弟刚入行不久,最近的项目需要一款高频mos,做开关用,主要的要求就是开关频率在100MHZ以上,但小弟实了解不多,各位老哥能否推荐几款符合要求的N MOS,跪谢!!003出厂年份2018年,KS Wedge bonder楔焊机 超声波铝丝焊线机。型号:powerfusion02xddd20240型号: FDD6637 丝印: VBE2309 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: P沟道 - 额定电压(VDS): -30V - 额定电流(ID): -60A - 开通电阻(RDS(ON)): 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth): -1.71V - 封装类型: TO252 应用简介: 这款FDD6637 MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET,适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力,适用于高功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块: - 电源管理模块:适用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆01LT8810SL ,LT8810ESL ,LT8810ESL-X ,LT8820ESS ,LT8810ESS ,LT8212ESS-Z ,LT8212ESS ,LT8212ESS-X ,LT8804ESS ,LT2007EDN(B)-C ,LT2007EDN-C ,LT2004EDN-X ,LT2004EDN ,LT2003EDN-X ,LT2003EDN ,LT2400EDN-X ,LT2003EFG ,LT2004EFG ,LT2024EFO ,LT2002EFO-X ,LT8606FF ,LT8202EFF ,LT5005EFF ,LT4424FL ,LT7442FL ,LT4422FL ,LT4422EFL ,LT7444FL ,LT7442EFNT ,LT4420EFNT ,LT4520EFWT ,LT1534EFNT ,LT7408FN ,LT4450FN ,LT7206FJ ,LT6428FJ ,LT7408FJ ,LTS1534FJ ,LT7304FJ ,LTS1534FJT-X ,LTS6015FJ ,LT7328TK ,LT7428TK ,LT8818EFXT ,LT4205FNT 电0IPTG017N12NM6 是一款正常电平 120V N-通道 MOSFET 晶体管,导通电阻为 1.7 mOhm。 IPTG017N12NM6:120V OptiMOS™ 6 功率 N-通道 MOSFET 晶体管,PG-HSOG-8 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Ta),331A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V 功率耗散(最大值):3.8W(Ta),395W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:PG-HSOG-8 星际金华,明佳达供应,回收IPTG017N12NM6【M0RCX450N20:200V N通道功率MOSFET晶体管 型号:RCX450N20 封装:TO-220-3 类型:MOSFET晶体管 星际金华,明佳达供应,回收RCX450N20【N通道功率MOSFET晶体管】 产品属性: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 功率耗散(最大值):2.23W(Ta),40W(Tc) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220FM 封装/外壳:TO-220-330SCT3040KRHRC15:汽车级 N-通道SiC功率 MOSFET 晶体管 1、描述: SCT3040KRHRC15 是一款1200V,55A的N通道硅功率功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻 2、产品属性: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V 功率耗散(最大值):262W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-4 3、产品特征: 导通电阻低 开关速度快 快速反向恢复00如题,求助各位大佬0IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管 型号:IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H 封装:TO-247-4 类型:MOSFET 晶体管 星际金华,明佳达供应,回收IMZA65R015M2H【碳化硅 MOSFET 晶体管】IMZA65R050M2H 一、描述: IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H 是采用 TO-247-4 封装的碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管。 二、产品属性: FET 类型:N 通道 技术:SiC(碳化硅结晶体管) 漏源电压(Vdss):650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):103A(Tc) 功率耗散(最大值):341W(Tc) 工作温度:-55°0041申矽凌,温度传感器IC: CT75MR, CA9534MTR CT7432MMR CT7117BJ4R CT7318YMMR-D CA9555MTR CT7117FJ4R CT7112BDNR CT7432YMMR-E CA9617MMR CT7112BDNR CT7481MMR CA9555MTR CT7112CKT6R CT7481MMR 吉妮商贸1主打以先进封装和超低内阻为主,市面常规封装都有000000000000000016清货的有嘛1100ZMO27NO3N 真茂佳 MOS管 封装:DFN5*6; DC:21+ ;3000个/包 深圳市吉妮商贸有限公司,原装现货 ZMO27NO3N 结合了先进的技术。 低阻封装MOSFET技术 提供极低的RPS(ON)。这个装置很理想 用于负载开关和电池保护应用程序。 开关电源二次同步整流器 无刷直流电动机驱动器 深圳市吉妮商贸 真茂佳其它型号: ZMS075N10S ZMS040N10P ZM040N06P ZM050KN20D ZMS100N10S ZM270P03T ZMD68310M ZM045N03N ZM130P03M ZMJ70R380F ZM027N03N ZM071P03N ZM160P03M ZMS026N03N ZMS016N03NC ZM035P03N ZMS070N10D ZM350P10D ZM160P03D ZM060P04D ZMS0700