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001IPD023N04NF2S:40V N通道 MOSFET晶体管,表面贴装型,TO-252-3 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A(Ta),143A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 功率耗散(最大值):3W(Ta),150W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:PG-TO252-3 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63 星际金华,明佳达供应,回收IPD023N04NF2S【N通道 MOSFET晶体管】IPD038N06N0000C3M0016120D:1200V N通道 SiCFET(碳化硅)MOSFET晶体管,TO-247-3 FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 功率耗散(最大值):556W(Tc) 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 星际金华,明佳达供应,回收C3M0016120D【碳化硅MOSFET晶体管】C2M0280120D C2M0280120D:1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管,TO-247-3 FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化0SPA16N50C3:560V N通道功率MOSFET晶体管,TO-220-3 FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):560 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 功率耗散(最大值):34W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:PG-TO220-3-31 封装/外壳:TO-220-3 星际金华,明佳达供应,回收SPA16N50C3【N通道功率MOSFET晶体管】IPB038N12N3G IPB038N12N3G:120V N通道功率MOSFET晶体管,TO-263-3 FET 类型:N 通道 技0介绍: 这是一款1200 V,13 mΩ EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET SixPACK三桥桥模块,采用增强型第一代CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器和PressFIT压接技术。 特征描述: 出色封装,高度达12 mm 先进的宽禁带(WBG)半导体材料 非常低的模块杂散电感 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET 更大的栅极驱动电压范围 栅源电压:+23 V和-10 V 工作结温(Tvjop):过载条件下高达175°C PressFIT压接引脚 集成了NTC温度传感器 优势: 优异的模块效率 系统成本优势 提升系统效率 降低散热0UJ4SC075018B7S:750V、18mOhm SiC FET 晶体管 1、描述: UJ4SC075018B7S 是一款 750V、18mOhm G4 SiC FET 晶体管。它采用独特的 "级联 "电路配置,将一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。 2、产品特征: 导通电阻 RDS(on): 18mW (典型值) 工作温度 175°C(最高) 出色的反向恢复能力: Qrr = 125nC 低体二极管 VFSD:1.14V 低栅极电荷: QG = 37.8nC 阈值电压 VG(th): 4.8V(典型值),允许 0 至 15V 驱动电压 3、产品属性: FET 类型:N 通00正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的关键工艺;目的是由溅镀或化镀方式形成UBM,接着做铜夹焊接 (Clip Bond),以降低导线电阻;承受大电流。在使用夹焊(Clip Bond)时,由于铝垫上方必須要有凸块下金属层(Under Bump Metallurgy, 简称UBM),来做为铝垫和铜夹(Clip)之间的焊接表面(Solder Surface) 化镀,一般称为化学镀(Chemical plating),也称无电镀(Electro-less Plating),在没有外加电流的条件下,利用化学药剂形成一连串可控制的氧化还原反应,使得化学药剂中的金属离子0描述 安森美半导体 NVMFS9D6P04M8LT1G MOSFET - 功率,单 P 沟道 -40 V,9.5 m,-77 A 功能特点 占用空间小,设计紧凑 低 RDS(on),可将传导损耗降至最低 低电容,将驱动器损耗降至最低 NVMFWS9D6P04M8L - 可湿侧面产品 通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 规范 【供应】【收购】安森美 NVMFS9D6P04M8LT1G 表面贴装型 P 通道 40 V 17.1A(Ta),77A(Tc) 3.7W(Ta),75W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封0AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H:750V 高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管 型号:AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 封装:PG-HDSOP-22 类型:MOSFET 晶体管 星际金华,明佳达供应,回收AIMDQ75R016M1【SiC MOSFET 晶体管】AIMDQ75R040M1H 一、描述: AIMDQ75R016M1 / AIMDQ75R040M1H 是一款高度坚固的 SiC MOSFET 晶体管,具有最佳的系统性能和可靠性。 二、产品属性: FET 类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):750V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A(Tc) 功率耗散(最大值):384W(Tc) 工作温00000000000一、NTMFS4C020NT1G:30V 逻辑电平 N 通道 表面贴装型 产品说明:NTMFS4C020NT1G是一款30V 单 N 沟道功率 MOSFET晶体管。 产品属性: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A(Ta),303A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),134W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 星际2MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是两种不同类型的功率器件,它们在不同的应用场景中具有不同的特点。以下是有关它们的一些信息以及在选择时需要考虑的因素: MOSFET: - 电压范围:MOSFET通常用于低至几伏特(V)到数百伏特的电压范围内的应用。一些高电压MOSFET也可以达到千伏以上的电压等级,但这通常是高端市场和特殊应用。 - 电流范围:MOSFET适用于低至毫安级别的小电流应用,也适用于几十安到几百安的00000000000介绍 1、IAUC120N06S5N017表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tj) 167W(Tc) PG-TDSON-8-43 系列: OptiMOS™ FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :120A(Tj) 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.4V @ 94µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 95.9 nC @ 10 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6952 pF @ 30 V 功率耗散(最大值): 167W(Tc) 工作000STD10P6F6,NCE01NP03S,NCE15P25*,AOTF4185,AOTF409,AOD4189 AOD413A,IPB320P10LM,IPB330P10NM,MTB160P10KN6,MTE160P10L3 STN3P6F6,STN3P10F6,DMP10H400SE,DMP6023LE,DMP6023LSS 我司专业做MOS管,长期应用在无刷电机,逆变器和新能源等行业应用。 半导体KORSUN_科晟半导体_MOS_场效应管 (http://www.ks-semi.com)01) 耐压余量大:保证器件在低温至-40℃时,仍能100%保证耐压大于额定电压的要求;为器件工作在户外或极寒工况下,提供最大保障; 2) 器件结温高:允许的瞬态最大工作结温175℃,为系统瞬态过载提供更大的安全余量; 3) 可靠性强:产品不仅可以通过常规的可靠性考核项目,还可以满足最大结温下的100%偏压HTRB\HTGB考核和更严苛的HV-H3TRB考核,保障器件在高温、高湿等恶劣工况下的稳定工作。 NCE3N170T 工业级 VD MOS New TO-247 N 1700 2.9 4 6 33 187 NCE3N150T02STD10P6F6,NCE01NP03S,NCE15P25*,AOTF4185,AOTF409,AOD4189 AOD413A,IPB320P10LM,IPB330P10NM,MTB160P10KN6,MTE160P10L3 STN3P6F6,STN3P10F6,DMP10H400SE,DMP6023LE,DMP6023LSS 我司专业做MOS管,长期应用在无刷电机,逆变器和新能源等行业应用。 半导体KORSUN_科晟半导体_MOS_场效应管 (ks-semi.com)2STD10P6F6,NCE01NP03S,NCE15P25*,AOTF4185,AOTF409,AOD4189 AOD413A,IPB320P10LM,IPB330P10NM,MTB160P10KN6,MTE160P10L3 STN3P6F6,STN3P10F6,DMP10H400SE,DMP6023LE,DMP6023LSS 我司专业做MOS管,长期应用在无刷电机,逆变器和新能源等行业应用。