编辑：ll 50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06 型号：50P06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：-50A 漏源击穿电压：-60V RDS（ON）Max：33mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的50P06 MOS管 ASEMI品牌50P06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50P06的最大漏源电流-50A，漏源击穿电压-60V. •细节体现差距 50P06，ASEMI品牌，工艺

编辑：ll 40P04-ASEMI中低压P沟道MOS管40P04 型号：40P04 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：-40A 漏源击穿电压：-40V 批号：最新 RDS（ON）Max：25mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 40P04场效应管 40P04的电性参数：最大漏源电流-40A；漏源击穿电压-40V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04 型号：30P04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：-30A 漏源击穿电压：-40V RDS（ON）Max：17mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的30P04 MOS管 ASEMI品牌30P04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30P04的最大漏源电流-30A，漏源击穿电压-40V. •细节体现差距 30P04，ASEMI品牌，工

编辑：ll 65R420-ASEMI超洁MOS管65R420 型号：65R420 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：8A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.42mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：超洁MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R420场效应管 65R420的电性参数：最大漏源电流8A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 65R330-ASEMI超洁MOS管65R330 型号：65R330 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：13A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：330mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、超洁MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的65R330 MOS管 ASEMI品牌65R330是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了65R330的最大漏源电流13A，漏源击穿电压650V. •细节体现差距 65R330，ASEMI品牌，工艺芯片

编辑：ll 65R260-ASEMI超洁MOS管65R260 型号：65R260 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：15A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：262mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：超洁MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R260场效应管 65R260的电性参数：最大漏源电流15A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 65R260-ASEMI超洁MOS管65R260 型号：65R260 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：15A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：262mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：超洁MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R260场效应管 65R260的电性参数：最大漏源电流15A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180 型号：ASE100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：21A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：180mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、超洁MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE65R180 MOS管 ASEMI品牌ASE65R180是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE65R180的最大漏源电流21A，漏源击穿电压650V. •细节体现差距 ASE65R180，ASEMI

编辑：ll ASE200N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE200N03 型号：ASE200N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：160A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：1.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ ASE200N03场效应管 ASE200N03的电性参数：最大漏源电流160A；漏源击穿电压30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅

编辑：ll ASE100N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N10 型号：ASE100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220 批号：最新 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：8.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE100N10 MOS管 ASEMI品牌ASE100N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE100N10的最大漏源电流100A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 ASE100

编辑：ll ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03 型号：ASE100N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：5.0mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ ASE100N03场效应管 ASE100N03的电性参数：最大漏源电流100A；漏源击穿电压30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅

编辑：ll ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10 型号：ASE80N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：9.5mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE80N10 MOS管 ASEMI品牌ASE80N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE80N10的最大漏源电流80A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 ASE80N10,ASEMI

编辑：ll ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03 型号：ASE80N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：6.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE80N03场效应管 ASE80N03的电性参数：最大漏源电流80A；漏源击穿电压30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电

编辑：ll ASE60N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE60N02 型号：ASE60N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：6mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE60N02 MOS管 ASEMI品牌ASE60N02是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE60N02的最大漏源电流60A，漏源击穿电压20V. •细节体现差距 ASE60N02,ASEMI品

编辑：ll ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06 型号：ASE50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V 批号：最新 RDS（ON）Max：15mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ ASE50N06场效应管 ASE50N06的电性参数：最大漏源电流50A；漏源击穿电压60V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电

编辑：ll ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03 型号：ASE50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的ASE50N03 MOS管 ASEMI品牌ASE30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE50N03的最大漏源电流50A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 ASE50N03,ASEMI

编辑：ll ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02 型号：ASE40N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：20V 批号：最新 RDS（ON）Max：11.2mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE40N02场效应管 ASE40N02的电性参数：最大漏源电流40A；漏源击穿电压20V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电

编辑：ll ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06 型号：ASE30N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：35mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的ASE30N06 MOS管 ASEMI品牌ASE30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE30N06的最大漏源电流30A，漏源击穿电压60V. •细节体现差距 ASE30N06,ASEMI品

编辑：ll ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10 型号：ASE10N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：130mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE10N10场效应管 ASE10N10的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压100V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极

编辑：ll 36MT160-ASEMI开关电源整流方桥36MT160 型号：36MT160 品牌：ASEMI 封装：D-63 特性：插件整流方桥 正向电流：35A 反向耐压：1600V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：5 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：500A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的36MT160整流桥 ASEMI品牌GBU1016整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了36MT160整流桥的最大漏源电流35A，漏源击穿电压1600V. •细节体现差距

编辑：ll MDS100-16-ASEMI电机专用整流模块MDS100-16 型号：MDS100-16 品牌：ASEMI 封装：M18 正向电流：100A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：6 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：920A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.90V 封装尺寸：如图 特性：整流模块 工作结温：-40℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 MDS100-16的电性参数：正向电流100A；反向电压1600V ASEMI品牌整流模块MDS100-16整流桥被广泛适用于：电源、充电器、大功率设备、工业电

编辑：ll KBPC1510-ASEMI整流桥KBPC1510参数、封装、尺寸 型号：KBPC1510 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 正向电流：15A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：300A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：整流桥、插件桥堆 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 KBPC1510的电性参数：正向电流15A；反向电压1000V ASEMI品牌整流桥KBPC1510整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LE

编辑：ll GBU1016-ASEMI开关电源整流桥GBU1016 型号：GBU1016 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：插件整流桥 正向电流：10A 反向耐压：1600V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：220A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的GBU1016整流桥 ASEMI品牌GBU1016整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了GBU1016整流桥的最大漏源电流10A，漏源击穿电压1600V. •细节体现差距 GBU1

编辑：ll SMBJ18A-ASEMI瞬态抑制二极管SMBJ18A 型号：SMBJ18A 品牌：ASEMI 封装：SMB 批号：最新 引脚数量：2 安装类型：表面贴装型 电流:18A 功率：600W 工作温度：-65°C~+150°C SMBJ18A应用领域 SMBJ18A可用于计算机系统:在计算机系统中，瞬态抑制二极管用于保护CPU、内存、I/O接口等关键部件，防止因静电放电、电源浪涌等引起的损坏。 SMBJ18A可用于通讯设备:在通讯设备中，T瞬态抑制二极管用于保护信号传输线路和接收设备，防止电磁干扰和信号失真，确保通信的

编辑：ll MUR8100AC-ASEMI快恢复二极管MUR8100AC 型号：MUR8100AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220AC 特性：快恢复二极管 正向电流：8A 反向耐压：1000V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：125A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的MUR8100AC-ASEMI快恢复二极管 ASEMI品牌MUR8100AC是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MUR8100AC的漏源电流8A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 MUR8100AC

SMT贴片专用振动盘 铝合金一体振动盘 铝盘振动盘 自动送料机 压电式振动盘图片、精密高速一体振动盘 自动设计、自动加工、自行装配、自行售后

编辑：ll MUR3060PTR-ASEMI快恢复二极管对管MUR3060PTR 型号：MUR3060PTR 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：30A 反向电压：600V 正向压降：0.98V~1.90V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：300A 芯片材质： 正向电压：1.90V 封装尺寸：如图 特性：开关电源二极管 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MUR3060PTR-ASEMI快恢复二极管的电性参数：正向电流30A；反向电压600V MUR3060PTR肖特基二极管被广泛适用于：新能源汽车、车

编辑：ll MUR3060PT-ASEMI快恢复二极管MUR3060PT 型号：MUR3060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：快恢复二极管 正向电流：30A 反向耐压：600V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：300A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的MUR3060PT-ASEMI贴片开关二极管 ASEMI品牌MUR3060PT是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MUR3060PT的漏源电流30A，漏源击穿电压600V. •细节体现差距 MUR3060P

编辑：ll MBR1645CT-ASEMI肖特基二极管MBR1645CT 型号：MBR1645CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 正向电流：16A 反向电压：45V 正向压降：0.44V~0.47V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：200A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：小家电专用二极管 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MBR1645CT-ASEMI肖特基二极管的电性参数：正向电流16A；反向电压45V MBR1645CT肖特基二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、电

编辑：ll 1N4148W-ASEMI贴片开关二极管1N4148W 型号：1N4148W 品牌：ASEMI 封装：SOD-123 特性：贴片开关二极管 正向电流：150mA 反向耐压：100V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：30A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的1N4148W-ASEMI贴片开关二极管 ASEMI品牌1N4148W是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了1N4148W的漏源电流150mA，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 1N4148W，

编辑：ll ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06 型号：ASE50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：15mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的ASE50N06 MOS管 ASEMI品牌ASE50N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE50N06的最大漏源电流50A，漏源击穿电压60V. •细节体现差距 ASE50N06,ASEMI品

编辑：ll ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S 型号：ASE8N65S 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：8A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：1.25Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE8N65S场效应管 ASE8N65S的电性参数：最大漏源电流8A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷

编辑：ll PS1045L-ASEMI小家电专用贴片二极管PS1045L 型号：PS1045L 品牌：ASEMI 封装：TO-277 正向电流：10A 反向电压：45V 正向压降：0.44V~0.47V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：200A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：小家电专用二极管 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 PS1045L-ASEMI肖特基二极管的电性参数：正向电流10A；反向电压45V PS1045L肖特基二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、

编辑：ll RS1MF-ASEMI小家电专用快恢复二极管RS1MF 型号：RS1MF 品牌：ASEMI 封装：SMAF 特性：快恢复二极管 正向电流：1A 反向耐压：1000V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：30A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~125℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的RS1MF-ASEMI快恢复二极管 ASEMI品牌RS1MF是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了RS1MF的漏源电流1A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 RS1MF，ASEMI品牌，

编辑：ll S10MC-ASEMI小家电专用整流二极管S10MC 型号：S10MC 品牌：ASEMI 封装：SMC 特性：整流二极管 正向电流：10A 反向耐压：1000V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：200A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~125℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的S10MC-ASEMI整流二极管 ASEMI品牌S10MC是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了S10MC的漏源电流10A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 S10MC，ASEMI品牌，工艺

编辑：ll SS520F-ASEMI小家电专用贴片二极管SS520F 型号：SS520F 品牌：ASEMI 封装：SMAF 正向电流：5A 反向电压：200V 正向压降：0.55V~0.95V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：150A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：小家电专用二极管 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 SS520F-ASEMI肖特基二极管的电性参数：正向电流5A；反向电压200V SS520F超快恢复二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、电源

编辑：ll 10A10-ASEMI整流二极管10A 1000V 型号：10A10 品牌：ASEMI 封装：R-6 特性：整流二极管 正向电流：10A 反向耐压：1000V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：600A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~125℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的10A10-ASEMI整流二极管 ASEMI品牌10A10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了10A10的漏源电流10A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 10A10，ASEMI品牌，工艺芯片，工

编辑：ll 80FU40-ASEMI逆变焊机专用快恢复二极管80FU40 型号：80FU40 品牌：ASEMI 封装：TO-3P 正向电流：80A 反向电压：400V 正向压降：0.95V~1.10V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：400A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：逆变焊机专用快恢复二极管 工作结温：-40℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 80FU40-ASEMI超快恢复二极管的电性参数：正向电流80A；反向电压400V 80FU40超快恢复二极管被广泛适用于：新能源

编辑：ll AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A 型号：AO3401A 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.06Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3401A场效应管 AO3401A的电性参数：最大漏源电流-4.2A；漏源击穿电压-30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极

编辑：ll AO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A 型号：AO3400A 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：30mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3400A MOS管 ASEMI品牌AO3400A是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3400A的最大漏源电流5.8A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3400A,ASEMI品牌

编辑：ll AO3416-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3416 型号：AO3416 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：6.5A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：30mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3416 MOS管 ASEMI品牌AO3416是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO34016的最大漏源电流6.5A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3416,ASEMI品牌，工

编辑：ll AO3415-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3415 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.0A 漏源击穿电压：-20V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.06Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3415场效应管 AO3415的电性参数：最大漏源电流-4.0A；漏源击穿电压-20V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷

编辑：ll AO3407-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3407 型号：AO3407 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.1A 漏源击穿电压：-30V 批号：最新 RDS（ON）Max：65mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3407场效应管 AO3407的电性参数：最大漏源电流-4.1A；漏源击穿电压-30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷

编辑：ll AO3404-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3404 型号：AO3404 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：30mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3404 MOS管 ASEMI品牌AO3404是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3404的最大漏源电流5.8A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3404,ASEMI品牌，工艺

编辑：ll AO3402-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3402 型号：AO3402 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：60mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3402 MOS管 ASEMI品牌AO3402是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3402的最大漏源电流4A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3402,ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll AO3401-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V 批号：最新 RDS（ON）Max：60mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3401场效应管 AO3401的电性参数：最大漏源电流-4A；漏源击穿电压-30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Q

编辑：ll SMBJ15A-ASEMI瞬态抑制二极管SMBJ15A 型号：SMBJ15A 品牌：ASEMI 封装：SMB 批号：2024+ 电压：15V 功率：600W 安装类型：表面贴装型 引脚数量：2 工作温度:-65°C~+150°C 类型：瞬态抑制二极管 SMBJ15A特征 SMBJ15A体积小：用于表面安装应用，以优化电路板空间。 响应时间快:击穿速度可达10-12秒量级。 漏电流低:在正常工作条件下，漏电流非常小。 击穿电压偏差小:击穿电压的偏差较小，易于控制， 塑料包装具有保险商实验室易燃性 SMBJ15A瞬态抑制二极管是一

编辑：ll SMBJ6.0A-ASEMI瞬态抑制二极管SMBJ6.0A 型号：SMBJ6.0A 品牌：ASEMI 封装：SMB 批号：最新 引脚数量：2 安装类型：表面贴装型 电压:6V 功率：600W 工作温度：-65°C~+150°C SMBJ6.0A应用领域 SMBJ6.0A可用于计算机系统:在计算机系统中，瞬态抑制二极管用于保护CPU、内存、I/O接口等关键部件，防止因静电放电、电源浪涌等引起的损坏。 SMBJ6.0A可用于通讯设备:在通讯设备中，T瞬态抑制二极管用于保护信号传输线路和接收设备，防止电磁干扰和信号失真，确保通信

编辑：ll KBPC3510-ASEMI整流桥KBPC3510参数、封装、尺寸 型号：KBPC3510 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 正向电流：35A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：400A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：整流桥、插件桥堆 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 KBPC3510的电性参数：正向电流35A；反向电压1000V ASEMI品牌整流桥KBPC3510整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LE

编辑：ll D45XT80-ASEMI电机专用整流桥D45XT80 型号：D45XT80 品牌：ASEMI 封装：DXT-5 特性：插件桥堆 正向电流：45A 反向耐压：800V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：5 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：450A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的D45XT80整流桥 ASEMI品牌D45XT80整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了D45XT80整流桥的最大漏源电流45A，漏源击穿电压800V. •细节体现差距 D45XT80