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0编辑-Z CL08-RG210参数描述: 型号:CL08-RG210 反向重复峰值电压VRRM:8000V 反向工作峰值电压VRWM:8000V 正向平均电流IF:0.5A 正向(不重复)浪涌电流IFSM:20A 反向恢复时间trr:80ns 正向峰值电压VFM:12V 反向峰值电流IR:2uA 工作环境和存贮温度Ta,TSTG:-40 to + 150℃ CL08-RG210封装大小: 直径:7.5mm 长度:22mm 线长:20mm 线径:1.2mm CL08-RG210产品特点: 雪崩电压击穿保护特性 优异的抗浪涌电流冲击特性 高速开关响应特性 采用新型环氧树脂真空封装技术,表面具有抗腐
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0编辑-Z MBR20100CT参数描述: 型号:MBR20100CT 最大重复峰值反向电压VRRM:100V 最大RMS电压VRMS:70V 最大直流阻断电压VDC:100V 最大平均正向电流IF:20A 峰值正向浪涌电流IFSM:200A 最大正向电压VF:0.8V 最大直流反向电流IR:0.05mA 操作和储存接头温度范围TJ,TSTG:-65 to + 175℃ MBR20100CT封装大小: 封装:TO-220 总长度:28.57mm 本体长度:15.87mm 引脚长度:12.7mm 宽度:10.66mm 高度:5.0mm 脚间距:2.54mm MBR20100CT机械数据: 外壳:TO-220AB模压塑料 端子:根据MIL-STD-750,方法2
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0肖特基二极管和普通二极管之间的主要区别在于它们的结构和工作原理。 结构:肖特基二极管的结构与普通二极管略有不同。普通二极管有一个P-N结构,其中P型半导体和N型半导体通过一个P-N结相连接。而肖特基二极管的结构是由一个金属和一个N型半导体构成的,金属与N型半导体之间形成一个肖特基势垒。https://www.icanic.cn/glqj/dr/ 工作原理:普通二极管是利用P-N结的正向偏置和反向偏置的特性来实现电流的控制。当普通二极管处于正向偏置时,电流可
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0肖特基二极管也称为热载流子二极管或肖特基势垒二极管,是一种半导体二极管,其特征在于金属-半导体结,而不是传统二极管中的典型 p-n 结。 与传统硅二极管相比,肖特基二极管表现出更低的正向压降、更快的开关速度以及更短的反向恢复时间,使其成为电源、高频电路和射频(RF)等高速高效应用的理想选择。 )系统。 来源:https://www.icanic.cn 特性参数选择: 1. 正向电压(VF):正向电压是指二极管两端允许电流通过所需的电压。 肖特基二极
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB3045LFCT参数: 型号:SB3045LFCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):45V 最大平均正向整流输出电流(IF):30A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):4.5℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +125℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.42V 最大直流反向电流(IR):100uA SB3045LFCT封装体积: 封装:ITO-220AB 总长度:29.37mm 本体长度:16.07mm 引脚长度:13.3mm 宽度:10.36mm 高度:4.93mm 脚间距:2.74mm SB3045LFCT特征: 低正向压
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT参数: 型号:MBR10100FCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):70V 最大直流阻断电压(VDC):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):10A 峰值正向浪涌电流(IFSM):150A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.8V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR10100FCT封装图片: 封装:ITO-220AB 总长度:29.2mm 本体长度:15.4mm 引脚长度:13.8mm
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30200FCT参数: 型号:MBR30200FCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):140V 最大直流阻断电压(VDC):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):30A 峰值正向浪涌电流(IFSM):275A 每个元件的典型热阻(ReJA):1.4℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR30200FCT封装体积: 封装:ITO-220AB 总长度:29.2mm 本体长度:15.4mm 引脚长度:13.8
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数: 型号:MBR20200FCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):140V 最大直流阻断电压(VDC):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):20A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR20200FCT封装规格: 封装:ITO-220AB 总长度:29.2mm 本体长度:16.0mm 引脚长度:13.2mm
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT参数: 型号:MBR20100FCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):70V 最大直流阻断电压(VDC):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):20A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.8V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR20100FCT封装图片: 封装:ITO-220AB 总长度:29.2mm 本体长度:15.4mm 引脚长度:13.8mm
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数: 型号:MBR60100PT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):70V 最大直流阻断电压(VDC):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):60A 峰值正向浪涌电流(IFSM):400A 每个元件的典型热阻(ReJA):1.5℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.8V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR60100PT封装规格: 封装:TO-247 总长度:41.55mm 本体长度:21.3mm 引脚长度:20.25mm
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0编辑-Z SB30100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是94MIL,是一款插件肖特基二极管。SB30100LCT的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为12uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SB30100LCT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SB30100LCT的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.55V,其中有3条引线。 SB30100LCT参数描述 型号:SB30100LCT 封装:TO-220AB 特性:插件肖特基二极管 电性参数:30A 100V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io):30A
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT40100VFCT参数: 型号:SBT40100VFCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):40A 峰值正向浪涌电流(IFSM):300A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.54V 最大直流反向电流(IR):10uA SBT40100VFCT规格封装: 封装:ITO-220AB 总长度:30.0mm 本体长度:16.1mm 引脚长度:13.9mm 宽度:10.5mm 高度:4.7mm 脚间距:2.8mm SBT40100VFCT特征: 低正向压
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0编辑-Z MBR10200AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片,其尺寸都是86MIL,是一款大功率肖特基二极管。MBR10200AC的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200AC采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。MBR10200AC的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为200V,正向电压(VF)为0.9V,其中有2条引线。 MBR10200AC参数描述 型号:MBR10200AC 封装:TO-220AC 特性:大功率肖特基二极管 电性参数:10A 200V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io)
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200FAC参数: 型号:MBR15200FAC 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):140V 最大直流阻断电压(VDC):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):15A 峰值正向浪涌电流(IFSM):175A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR15200FAC规格图片: 封装:ITO-220AC 总长度:29.2mm 本体长度:15.4mm 引脚长度:13.8mm
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0编辑-Z MBR16200CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款插件肖特基二极管。MBR16200CT的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200CT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR16200CT的电性参数是:正向电流(Io)为16A,反向耐压为200V,正向电压(VF)为0.9V,其中有3条引线。 MBR16200CT参数描述 型号:MBR16200CT 封装:TO-220AB 特性:插件肖特基二极管 电性参数:16A 200V 芯片材质:GPP硅芯片 正向电流(Io):16A 芯
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT20100VDC参数: 型号:SBT20100VDC 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):20A 峰值正向浪涌电流(IFSM):180A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.45V 最大直流反向电流(IR):6uA SBT20100VDC封装规格: 封装:TO-263 总长度:15.9mm 本体长度:9.5mm 引脚长度:5.1mm 宽度:10.69mm 高度:4.85mm 脚间距:2.54mm SBT20100VDC特征: 低正向压降 可
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30200PT参数: 型号:MBR30200PT 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):30A 峰值正向浪涌电流(IFSM):275A 每个元件的典型热阻(ReJA):1.4℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR30200PT封装规格: 封装:TO-247 总长度:41.55mm 本体长度:21.3mm 引脚长度:20.25mm 宽度:16.25mm 高度:5.05mm 脚间距:5.7mm MBR30200PT特征: 塑料包装具
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数: 型号:MBR10200CT 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):10A 峰值正向浪涌电流(IFSM):150A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR10200CT封装规格: 封装:TO-220AB 总长度:28.57mm 本体长度:15.87mm 引脚长度:12.7mm 宽度:10.66mm 高度:5.0mm 脚间距:2.54mm MBR10200CT特征: 塑料包装具
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0编辑-Z MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是122MIL,是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR30100CT的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.8V,其中有3条引线。 MBR30100CT参数描述 型号:MBR30100CT 封装:TO-220AB 特性:大功率肖特基二极管 电性参数:30A 100V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT参数: 型号:SBT10100VCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):10A 峰值正向浪涌电流(IFSM):150A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.42V 最大直流反向电流(IR):4uA SBT10100VCT封装规格: 封装:TO-220AB 总长度:30.36mm 本体长度:16.46mm 引脚长度:13.9mm 宽度:10.5mm 高度:4.8mm 脚间距:2.79mm SBT10100VCT特征: 低正向压降
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0编辑-Z SBT30100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是94MIL,是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT30100VCT的浪涌电流Ifsm为250A,漏电流(Ir)为8uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VCT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SBT30100VCT的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.52V,其中有3条引线。 SBT30100VCT参数描述 型号:SBT30100VCT 封装:TO-220AB 特性:超低压降低功耗 电性参数:30A 100V 芯片材质:金属硅芯片 正向
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0编辑-Z SBT40100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT40100VCT的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VCT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SBT40100VCT的电性参数是:正向电流(Io)为40A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.54V,其中有3条引线。 SBT40100VCT参数描述 型号:SBT40100VCT 封装:TO-220AB 特性:超低压降低功耗 电性参数:40A 100V 芯片材质:金属硅芯片 正
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB20100LCT参数: 型号:SB20100LCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):20A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):2.5℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.55V 最大直流反向电流(IR):12uA SB20100LCT封装规格: 封装:TO-220AB 总长度:29.37mm 本体长度:16.07mm 引脚长度:13.3mm 宽度:10.36mm 高度:4.93mm 脚间距:2.74mm SB20100LCT特征: 低正向压
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0编辑-Z SBT40100VFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款塑封肖特基二极管。SBT40100VFCT的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VFCT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SBT40100VFCT的电性参数是:正向电流(Io)为40A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.54V,其中有3条引线。 SBT40100VFCT参数描述 型号:SBT40100VFCT 封装:ITO-220AB 特性:塑封肖特基二极管 电性参数:40A 100V 芯片材质:金属硅芯片 正向
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB30100LCT参数: 型号:SB30100LCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):30A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):2.5℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.55V 最大直流反向电流(IR):12uA SB30100LCT封装图片: 封装:TO-220AB 总长度:29.37mm 本体长度:16.07mm 引脚长度:13.3mm 宽度:10.36mm 高度:4.93mm 脚间距:2.74mm SB30100LCT特征: 低正向压
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200AC参数: 型号:MBR10200AC 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):140V 最大直流阻断电压(VDC):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):10A 峰值正向浪涌电流(IFSM):150A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR10200AC封装规格: 封装:TO-220AC 总长度:28.57mm 本体长度:15.87mm 引脚长度:12.7mm
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0编辑-Z SB20100LFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是82MIL,是一款半塑封肖特基二极管。SB20100LFCT的浪涌电流Ifsm为180A,漏电流(Ir)为6uA,其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SB20100LFCT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SB20100LFCT的电性参数是:正向电流(Io)为20A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.45V,其中有3条引线。 SB20100LFCT参数描述 型号:SB20100LFCT 封装:ITO-220AB 特性:半塑封肖特基二极管 电性参数:20A 100V 芯片材质:金属硅芯片 正向电
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0编辑-Z MBR10200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片,其尺寸都是95MIL,是一款大功率肖特基二极管。MBR10200FAC的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FAC采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。MBR10200FAC的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为200V,正向电压(VF)为0.9V,其中有2条引线。 MBR10200FAC参数描述 型号:MBR10200FAC 封装:ITO-220AC 特性:大功率肖特基二极管 电性参数:10A 200V 芯片材质:金属硅芯片 正向
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数: 型号:SB40100LCT 最大重复峰值反向电压(VRRM):100V 最大平均正向整流输出电流(IF):40A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-40 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.8V 最大直流反向电流(IR):40uA SB40100LCT封装规格: 封装:TO-220AB 总长度:29.37mm 本体长度:16.07mm 引脚长度:13.3mm 宽度:10.36mm 高度:4.93mm 脚间距:2.74mm SB40100LCT特征: 低正向压降
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200AC参数: 型号:MBR15200AC 最大重复峰值反向电压(VRRM):200V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):140V 最大直流阻断电压(VDC):200V 最大平均正向整流输出电流(IF):15A 峰值正向浪涌电流(IFSM):175A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降(VF):0.9V 最大直流反向电流(IR):0.05mA MBR15200AC封装规格: 封装:TO-220AC 总长度:28.57mm 本体长度:15.87mm 引脚长度:12.7mm
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0编辑-Z MBR15200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片,其尺寸都是95MIL,是一款插件肖特基二极管。MBR15200FAC的浪涌电流Ifsm为175A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR15200FAC采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。MBR15200FAC的电性参数是:正向电流(Io)为15A,反向耐压为200V,正向电压(VF)为0.9V,其中有2条引线。 MBR15200FAC参数描述 型号:MBR15200FAC 封装:ITO-220AC 特性:插件肖特基二极管 电性参数:15A 200V 芯片材质:GPP硅芯片 正向电流(Io):1
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0编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR16200CT参数: 型号:MBR16200CT 重复峰值反向电压(VRRM):200V RMS电桥输入电压(VRMS):140V 直流阻断电压(VDC):200V 平均正向整流输出电流(IF):16A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +175℃ 瞬时正向压降(VF):0.9V 直流反向电流(IR):0.05mA MBR16200CT封装图片: 封装:TO-220AB 总长度:28.57mm 本体长度:15.87mm 引脚长度:12.7mm 宽度:10.66mm 高度:5.0mm 脚
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0编辑-Z MBR16200FCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款大功率肖特基二极管。MBR16200FCT的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200FCT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR16200FCT的电性参数是:正向电流(Io)为16A,反向耐压为200V,正向电压(VF)为0.9V,其中有3条引线。 MBR16200FCT参数描述 型号:MBR16200FCT 封装:ITO-220AB 特性:大功率肖特基二极管 电性参数:16A 200V 芯片材质:GPP硅芯片 正向电流(
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