随着万大王购买了一加ACE6T并进行了一系列测试，这颗U的真实状况逐渐显现。首先毫无疑问的，4M的L2给大核IPC带来了毁灭性的打击，根据万大王的测试，在3.4G以后提升频率已经不再提升性能，IPC直接衰竭尽了。但问题根本不止于性能，随着测试的深入，3.4G下常温功耗就稳不住了，一测发现已经5w+了，再往上的3.8G更是来到了夸张的7w+，比我手上8750在4.1G的6.4w还要更高。如果说4M的小L2给IPC带来毁灭性的打击是情有可原的话，这个数据只能用匪夷所思来形容了。我第一反应是高通这3nm不会是三星的3nm吧。但很快这种怀疑被打消了，因为小核居然是正常的，3.32G下2.19w，表现和8850的N3P是对得上的，所以不可能是三星3nm。

既然排除了三星工艺的可能性，那会不会是高通为了省钱用了高密度库导致高频报废呢？这是很自然的想法，毕竟我们普通人通常接触到半导体制造也就差不多到这了。但事情往往并没有那么简单，万扯淡的dieshot一出来，傻眼了，大核面积比8850还大，很明显不可能是比8850更高密度做出来的。那这又会是什么问题？这个时侯我注意到，8G5的光栅衍射色彩和所有N3系用了Finflex的都不同，而是和N5系的非Finflex颜色一致，这时候我就有种想法了，高通很可能在金属层数上下功夫了。

说这个之前我先解释一下金属层数是怎么影响电气性能的。我们知道，芯片除了下面的晶体管外，上面要通过各种走线将信号传输，也要通过走向将电供到晶体管上，那么现在问题来了，玩过终末地的都知道，你布线会打架会相互有干扰，这个时候你得用更大的面积来走线，或者你多走几层来避免打架和干扰，这个就是金属层层数增加的意义。那么问题来了，我们用脚指头想想都知道，房子建的层数越高，他就得花更多的钱啊。我们通过tsmc的论文和一些逆向的材料可以发现，N3E主流的层数为16（M0-M15）层，而N5-N4为10-12层。此时，我心里有了比较完整的猜测：高通在8G5上削减了金属层数，但是为了解决串扰的问题，在芯片上全局使用了2Fin的单元库，致使核心面积增大，而衍射色彩也趋近于N5系的2Fin单元。此时规模小、整体功耗低的小核心受到金属层数削减的影响小，规模大、走线复杂，整体功耗较大的大核受到了较大的影响，致使同频功耗远远高出同样使用N3P的8850。

总结一下，8G5这玩意就是为了满足“与8Elite Gen5同代工艺”与成本之间矛盾做出来的畸形产物，回到我一开始说的，我想通了，可能这才是这个U能用的唯一解。为什么，因为大核处于一种功耗爆炸的状态，但是小核的能耗是正常的，保住小核12M的缓存能最大限度上保证游戏的体验，这才是这个U能用的唯一解。

8E5和8G5大小核die shot上看着都不一样

3.4G功耗和3.23G M1差不多，垃圾到家了，PPC还不如

那以后宣传上是不是还得有满血台积电n3p和残血台积电N3p这种说法

8g5是中端常规的大小核分工，小核砍浮点保整数，大核堆浮点保游戏表现，低压环境不凸显劣势，高压大小核都是残疾

别问，问就是受桌面端影响

这刀砍的连老黄都要自愧不如

总结:“次旗舰”哪哪都次不要买，买上一代旗舰

很正常，4.6的spec2017int我测出来基本都要十瓦以上

归根结底还是高通在8g5上花费的设计资源很少，从一开始就是抱着做一款廉价芯片，不仅从生产端，还有研发端都在缩成本，这种态度能做出好东西那就有鬼

日用不玩游戏吊打旗舰芯就是了