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今天更新晶体三极管，因楼主前两天有事儿，所以不好意思没更新。
！首先三极管是一个特别重要的模拟电路元件，是放大电路的核心，本节主要掌握三极管是什么，工作原理，内、外部特性，以及需要注意地方。
！三极管分为NPN、PNP型三极管。看书上原理图，很明显就两个PN结，共P区或者共N区。
这里楼主强调一点，一定要熟悉三极管的构造还有其符号以及各名称。
！然后本节讨论的三极管的工作原理，书上的1.3.4（30页）很详细的分析了内部的载流子是如何运动的，以及得出了电流分配关系：I（e）+I(b)=I(e).这其实就是一个基尔霍夫电流定律。然后根据内部流子关系式能得出晶体管的共射放大系数（共射是共发射极）贝塔；I(c)=贝塔倍的 I(b).这个就是放大核心部分。小功率管来说一般能放大300-400倍，大功率的话一般是30-40倍。
！下面讲解下晶体管的特性部分：
输入输出特性，输入是讲的I（b）也就是研究基极的电流跟哪些因素的关系。就研究的是发射结那个回路的呗，自己看看是不是跟PN结的伏安特性曲线有点像，就俩因素，自己多看看，能明白的。
！这一个输出特性曲线，是重点，但是初学者很不好理解，也不好记；研究的也就是输出电流I（c）的大小与U（ce）、I（b）的关系。书上分为三个工作区域，楼主看着麻烦，理解着也很纠结，所以就自己琢磨的一个方法方便大家理解和记忆：
U（be） U(ce)
！一开始当他俩电压都为0的时候就是都不导
U（0-U(on)） 0 通的时候，I（C）和I（b）都为0，就截止
了呗。
！当U（be）增大到使发射结导通时，而U（ce）几乎
U（>U(on)） 0（或者为X） 不增加的时候，很明显集电结也会正向导通。此时I
I（c）很明显会随着U（ce）和I（b）增大而增大。
当I（c）的增大几乎收U（ce）主导时，成为饱和，
此时为饱和区。
！当U不变，X增大，当X增大大于U，能使集电结反
U X（X>U） 向偏置的时候，I（c）此时的大小仅仅取决于I（b
）表现出的控制作用，此区间内就是晶体管的工作
区间，放大区。
！首先三极管是一个特别重要的模拟电路元件，是放大电路的核心，本节主要掌握三极管是什么，工作原理，内、外部特性，以及需要注意地方。
！三极管分为NPN、PNP型三极管。看书上原理图，很明显就两个PN结，共P区或者共N区。
这里楼主强调一点，一定要熟悉三极管的构造还有其符号以及各名称。
！然后本节讨论的三极管的工作原理，书上的1.3.4（30页）很详细的分析了内部的载流子是如何运动的，以及得出了电流分配关系：I（e）+I(b)=I(e).这其实就是一个基尔霍夫电流定律。然后根据内部流子关系式能得出晶体管的共射放大系数（共射是共发射极）贝塔；I(c)=贝塔倍的 I(b).这个就是放大核心部分。小功率管来说一般能放大300-400倍，大功率的话一般是30-40倍。
！下面讲解下晶体管的特性部分：
输入输出特性，输入是讲的I（b）也就是研究基极的电流跟哪些因素的关系。就研究的是发射结那个回路的呗，自己看看是不是跟PN结的伏安特性曲线有点像，就俩因素，自己多看看，能明白的。
！这一个输出特性曲线，是重点，但是初学者很不好理解，也不好记；研究的也就是输出电流I（c）的大小与U（ce）、I（b）的关系。书上分为三个工作区域，楼主看着麻烦，理解着也很纠结，所以就自己琢磨的一个方法方便大家理解和记忆：
U（be） U(ce)
！一开始当他俩电压都为0的时候就是都不导
U（0-U(on)） 0 通的时候，I（C）和I（b）都为0，就截止
了呗。
！当U（be）增大到使发射结导通时，而U（ce）几乎
U（>U(on)） 0（或者为X） 不增加的时候，很明显集电结也会正向导通。此时I
I（c）很明显会随着U（ce）和I（b）增大而增大。
当I（c）的增大几乎收U（ce）主导时，成为饱和，
此时为饱和区。
！当U不变，X增大，当X增大大于U，能使集电结反
U X（X>U） 向偏置的时候，I（c）此时的大小仅仅取决于I（b
）表现出的控制作用，此区间内就是晶体管的工作
区间，放大区。
