http://tieba.baidu.com/p/2447666640#
conclusion
没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度,只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次),而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量,再加上写入放大的缘故,根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法:写入队列深度1的不可压缩128KB持续数据,分别计算每次测试的损耗均衡计数(WLC,类似Intel MWC媒体损耗指示器)。如果知道了平均写入速度和持续时间,就可以大致算出写入了多少数据。另一方面,大尺寸数据是连续写入的,不存在碎片,所以写入放大系数非常接近1x。
使用一块三星840 250GB进行测试,结果如下:
- 数据写入总量:92623GB
- WLC消耗量:34
- 估算P/E总数:1064次
- 估算可写入总量:272420GB
也就是说,TLC NAND闪存的确只有大约1000次编程/擦写循环,250GB的终生数据写入量也就在270TB左右。
当然了,WLC走到零之后,三星840依然有机会继续服役,最多再坚持个20-30%的时间,不过前提是它得和Intel MWI差不多。
1000次的编程/擦写循环确实很可怜,但对于普通用户来说也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB,那么我们就假设是10GB,写入放大系数则假定为3,那么对于128GB、256GB MLC固态硬盘来说,总的寿命大约为35.0年、70.1年,同样容量的TLC硬盘则是11.7年、23.4年。
即便是每天30GB,256GB TLC硬盘也能支撑7.8年,够用不?
另外,所有的S.M.A.R.T.属性都是趋于保守的,因此即便WMI、WLC都走到了零,你的硬盘也不会立刻死去,比如著名玩家论坛XtremeSystem里有一块三星830 256GB,已经累计写入了接近6000TB,而WLC早在828TB的时候就变成零了,实际寿命达到了理论值的七倍多!
根据上边的测试,,得到了840 120G极限写入寿命是406TB=40多万GB,,
而三年保期间耗尽寿命需要每天写入近400GB,,,我不知道那位童鞋会这么猛,,,每天下载400GB的岛国爱情片看?,,,,,,正常使用,,就以TLC的来说,,用个十年左右不成问题,,,,
更别提很多使用浦科特 美光一类寿命更长的SSD,,
本文与吧友共勉之,,,
conclusion
没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度,只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次),而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量,再加上写入放大的缘故,根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法:写入队列深度1的不可压缩128KB持续数据,分别计算每次测试的损耗均衡计数(WLC,类似Intel MWC媒体损耗指示器)。如果知道了平均写入速度和持续时间,就可以大致算出写入了多少数据。另一方面,大尺寸数据是连续写入的,不存在碎片,所以写入放大系数非常接近1x。
使用一块三星840 250GB进行测试,结果如下:
- 数据写入总量:92623GB
- WLC消耗量:34
- 估算P/E总数:1064次
- 估算可写入总量:272420GB
也就是说,TLC NAND闪存的确只有大约1000次编程/擦写循环,250GB的终生数据写入量也就在270TB左右。
当然了,WLC走到零之后,三星840依然有机会继续服役,最多再坚持个20-30%的时间,不过前提是它得和Intel MWI差不多。
1000次的编程/擦写循环确实很可怜,但对于普通用户来说也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB,那么我们就假设是10GB,写入放大系数则假定为3,那么对于128GB、256GB MLC固态硬盘来说,总的寿命大约为35.0年、70.1年,同样容量的TLC硬盘则是11.7年、23.4年。
即便是每天30GB,256GB TLC硬盘也能支撑7.8年,够用不?
另外,所有的S.M.A.R.T.属性都是趋于保守的,因此即便WMI、WLC都走到了零,你的硬盘也不会立刻死去,比如著名玩家论坛XtremeSystem里有一块三星830 256GB,已经累计写入了接近6000TB,而WLC早在828TB的时候就变成零了,实际寿命达到了理论值的七倍多!
根据上边的测试,,得到了840 120G极限写入寿命是406TB=40多万GB,,
而三年保期间耗尽寿命需要每天写入近400GB,,,我不知道那位童鞋会这么猛,,,每天下载400GB的岛国爱情片看?,,,,,,正常使用,,就以TLC的来说,,用个十年左右不成问题,,,,
更别提很多使用浦科特 美光一类寿命更长的SSD,,
本文与吧友共勉之,,,