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率能半导体推出一款四个半H桥驱动芯片SS8844T,兼容TI-DRV8844

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SS8844T 提供四个可独立控制的 1/2 H 桥启动器。 它可被用于驱动两个 DC 电机、一个步进电机、四个螺线管或者其它负载。 针对每个通道的输出驱动器通道由在一个 1/2 H 桥配置中进行配置的 N 通道功率 MOSFET 组成。
SS8844T 在每个桥的通道上提供高达 2.5A 峰值电流或者 1.75A 均方根 (RMS) 输出电流(在 24V 和 25°C 时具有适当的印刷电路板 (PCB) 散热)。SS8844T内部关断功能包含过流保护,短路保护,欠压锁定保护和过温保护,并提供一个故障输出管脚nFAULT引脚。SS8844T提供一种带有裸露焊盘的eTSSOP28封装,能有效改善散热性能,且是无铅产品,引脚框架采用100%无锡电镀。
特征
l 双通道H桥电流控制电机驱动器
–单个或两个有刷直流电机
–一个步进电机
–完全独立的半桥控制
l 行业标准IN/IN数字控制接口
l 低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
– 24V,Ta = 25°C时可实现2.5A最大驱动电流
– 24V,Ta= 25°C时RDS(on)为350mΩ(典型值HS + LS)
l 8.2~40V工作电压范围
l 内置3.3V基准电压
l 带散热片的表面贴装封装
l 保护特性
– 过流保护 (OCP)
– 热关断 (TSD)
– 欠压闭锁 (UVLO)
– 故障显示Pin(nFAULT)
应用
· 纺织机器
· 工业自动化
· 办公自动化设备
· 游戏机
· 机器人

保护电路
SS8844T内包含有欠压保护电路,过流保护电路和过温保护电路。
(a) 过流保护(OCP)
SS8844T:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果过流电流持续时间大于OCP的尖峰时间(2.6us),所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持不工作。直到芯片故障排除,并且需要重新上电,或者通过nSLEEP、nRESET管脚重新复位芯片。
高边和低边功率管的过电流条件;即短路接地、短路到电源或电动绕组间短路,都会导致过电流关断。
(b) 过温保护(TSD)
如果芯片温度超过安全范围,所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低。一旦温度降至安全水平,将自动恢复正常工作。
(c) 欠压保护(UVLO)
如果VM电压低于欠压锁定阈值,芯片内部所有电路都不工作并且内部逻辑都清零。直到VM电压升高至比UVLO阈值高时才恢复工作。
地址:深圳市南山区粤海街道高新中二路深圳软件园一期4栋525-526
联系:0755-86576673
网址:http://www.leadpoweric.com


1楼2021-02-05 08:45回复