硅量子点的制备、表面修饰与性能
电化学刻蚀法
①将硅片裁成1.2cm x1.2cm大小,利用浓硫酸/双氧水=7:3浸泡硅片，2小时后利用去离子水冲洗硅片并将硅片置于乙醇中保存实验之前硅片在40%HF水
溶液中浸泡一分钟后用去离子水冲洗三遍;
②将硅片固定于电解模具之中,硅片光面朝上使之接触HF,朝向铂电极,硅片本身作为阳极与铝片接触,硅片本身发生阳极氧化反应,具体反应方程式为:
si +2HO +nh= Si0+4H+(4-n)e
Si0+ 6HF = HSiF+2H,0
其中n为溶解一个Si 原子所需空穴数的平均值。阴极反应在铂电极发生,有氢气气泡产生。反应方程式为:2H++2e-= H.
③加入 1.5ml 20%HF和乙醇溶液至电解槽作为电解液使得硅片光面浸于电解液中;
④阳极氧化法电解刻蚀硅片, 130mA恒流,电解刻蚀10分钟;⑤得到覆有多孔硅的硅片,乙醇冲洗三次;
⑥将得到的覆有多孔硅表面的硅片置于5ml乙醇中超声30min,初步得到溶于乙醇并且表面被硅氢键钝化的硅量子点
Au@Si金硅量子点
硅量子点Si-based quantum dot
氨基羧基修饰硅量子点(Si QDs)
Cu掺杂硅量子点
水溶性荧光硅量子点
烯丙胺修饰的硅量子点(Si QDs)
SixN/SiyC包覆硅量子点
聚异丙基丙烯酰胺功能化的荧光硅量子点
GeSi锗硅量子点
以上资料来自瑞禧生物 小编（YXX.2021.3）