#金刚石晶圆片#
晶圆级金刚石（Dia-Ra 0.5)(Polycrystalline Diamond )
生长方式： MPCVD
产品厚度： 金刚石（diamond）0~500um
厚度公差： +/- 20um
产品尺寸： 1cm*1cm；2inch；可定制
表面粗糙度： < 1 nm Ra
FWHM： 0.354
热膨胀系数： 1.3 (10-6K-1)
热导率： 1500±200W/m.K
金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，优势诸多：
1.极高的热传导：热导率2200W/m.K ，室温下金刚石具有最高的热导率
2.极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，SiC的2.5倍
3.极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件
4.低的介电常数：介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小
5.高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率
6.高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件