按材质
1）。氧化铝
迄今为止，氧化铝基板是电子行业最常用的基板材料，由于其机械、热学和电学性能与大多数其他氧化物陶瓷相比，具有较高的强度和化学稳定性，并且原材料丰富。适用于各种技术制造和不同形状。
2）。铍
它比金属铝具有更高的热导率，用于需要高热导率的应用，但在300℃后温度迅速下降。最重要的是它的毒性限制了它的发展。
3）。氮化铝
AlN有两个非常重要的特性值得注意：一是高导热性，二是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使表面有很薄的氧化层，也会影响导热性。只有严格控制材料和工艺，才能生产出一致性好的AlN基板。目前相对于Al2O3，AlN的价格相对较高，这也是制约其发展的一个小瓶颈。但是，随着经济的好转和技术的升级，这个瓶颈最终会消失。
基于以上原因可知，氧化铝陶瓷以其优越的综合性能在微电子、电力电子、混合微电子、功率模块等领域仍处于主导地位，应用广泛。
2.按制造工艺
1).HTCC（高温共烧陶瓷）
HTCC也称为高温共烧多层陶瓷。制造过程与 LTCC 非常相似。主要区别在于HTCC的陶瓷粉没有添加到玻璃材料中。因此，HTCC必须在1300～1600℃的高温下干燥硬化。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。主要材料有钨、钼、锰等，熔点高但导电性差，最后层压烧结成型。
2).LTCC（低温共烧陶瓷）
LTCC又称低温共烧多层陶瓷基板。该技术必须先将无机氧化铝粉末与约30%~50%的玻璃材料与有机粘合剂混合，使其均匀混合成泥状浆料。用刮刀将浆料刮成片状，再经过干燥过程形成一片薄薄的生胚，再根据各层的设计钻孔，作为各层的信号传输。LTCC的内部电路采用丝网印刷技术分别在绿胚上填孔和印刷电路。内外电极可分别使用银、铜、金等金属。在850～900℃的烧结炉中烧结即可完成。
3) DBC（直接键合铜）
直接键合铜技术使用铜的含氧共晶溶液将铜直接沉积在陶瓷上。基本原理是在沉积过程之前或期间在铜和陶瓷之间引入适量的氧气。在1065℃～1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液。DBC 技术利用这种共晶液体与陶瓷基板发生化学反应，生成 CuAlO2 或 CuAl2O4。此外，它还渗入铜箔，实现陶瓷基板和铜板的结合。
4).DPC（直接镀铜）
DPC也称为直接镀铜基板。以DPC基板技术为例：首先对陶瓷基板进行预处理和清洗，利用专业的薄膜制造技术-真空镀膜法将其溅射并结合到陶瓷基板上的铜金属复合层上，然后用黄光光刻的光刻胶再曝光、显影、蚀刻，完成去膜工艺 制线 最后，通过电镀/化学镀沉积增加电路的厚度。去除光刻胶后，完成金属化电路。
5）。LAM（激光活化金属化）
使用高能激光束电离陶瓷和金属，让它们一起生长，使它们牢固地结合在一起。
LAM产品特点：
一个。更高的热导率
湾。更匹配的热膨胀系数
C。电阻较低的金属膜
d。基板的可焊性好，使用温度高
e. 绝缘性好
F。导电层厚度可在1μm～1mm内定制
G。低频损耗
H。高密度组装成为可能
一世。不含有机成分
j. 铜层不含氧化层
ķ。三维基板和三维布线按材质
1）。氧化铝
迄今为止，氧化铝基板是电子行业最常用的基板材料，由于其机械、热学和电学性能与大多数其他氧化物陶瓷相比，具有较高的强度和化学稳定性，并且原材料丰富。适用于各种技术制造和不同形状。
2）。铍
它比金属铝具有更高的热导率，用于需要高热导率的应用，但在300℃后温度迅速下降。最重要的是它的毒性限制了它的发展。
3）。氮化铝
AlN有两个非常重要的特性值得注意：一是高导热性，二是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使表面有很薄的氧化层，也会影响导热性。只有严格控制材料和工艺，才能生产出一致性好的AlN基板。目前相对于Al2O3，AlN的价格相对较高，这也是制约其发展的一个小瓶颈。但是，随着经济的好转和技术的升级，这个瓶颈最终会消失。
基于以上原因可知，氧化铝陶瓷以其优越的综合性能在微电子、电力电子、混合微电子、功率模块等领域仍处于主导地位，应用广泛。
2.按制造工艺
1).HTCC（高温共烧陶瓷）
HTCC也称为高温共烧多层陶瓷。制造过程与 LTCC 非常相似。主要区别在于HTCC的陶瓷粉没有添加到玻璃材料中。因此，HTCC必须在1300～1600℃的高温下干燥硬化。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。主要材料有钨、钼、锰等，熔点高但导电性差，最后层压烧结成型。
2).LTCC（低温共烧陶瓷）
LTCC又称低温共烧多层陶瓷基板。该技术必须先将无机氧化铝粉末与约30%~50%的玻璃材料与有机粘合剂混合，使其均匀混合成泥状浆料。用刮刀将浆料刮成片状，再经过干燥过程形成一片薄薄的生胚，再根据各层的设计钻孔，作为各层的信号传输。LTCC的内部电路采用丝网印刷技术分别在绿胚上填孔和印刷电路。内外电极可分别使用银、铜、金等金属。在850～900℃的烧结炉中烧结即可完成。
3) DBC（直接键合铜）
直接键合铜技术使用铜的含氧共晶溶液将铜直接沉积在陶瓷上。基本原理是在沉积过程之前或期间在铜和陶瓷之间引入适量的氧气。在1065℃～1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液。DBC 技术利用这种共晶液体与陶瓷基板发生化学反应，生成 CuAlO2 或 CuAl2O4。此外，它还渗入铜箔，实现陶瓷基板和铜板的结合。
4).DPC（直接镀铜）
DPC也称为直接镀铜基板。以DPC基板技术为例：首先对陶瓷基板进行预处理和清洗，利用专业的薄膜制造技术-真空镀膜法将其溅射并结合到陶瓷基板上的铜金属复合层上，然后用黄光光刻的光刻胶再曝光、显影、蚀刻，完成去膜工艺 制线 最后，通过电镀/化学镀沉积增加电路的厚度。去除光刻胶后，完成金属化电路。
5）。LAM（激光活化金属化）
使用高能激光束电离陶瓷和金属，让它们一起生长，使它们牢固地结合在一起。
LAM产品特点：
一个。更高的热导率
湾。更匹配的热膨胀系数
C。电阻较低的金属膜
d。基板的可焊性好，使用温度高
e. 绝缘性好
F。导电层厚度可在1μm～1mm内定制
G。低频损耗
H。高密度组装成为可能
一世。不含有机成分
j. 铜层不含氧化层
ķ。三维基板和三维布线
1）。氧化铝
迄今为止，氧化铝基板是电子行业最常用的基板材料，由于其机械、热学和电学性能与大多数其他氧化物陶瓷相比，具有较高的强度和化学稳定性，并且原材料丰富。适用于各种技术制造和不同形状。
2）。铍
它比金属铝具有更高的热导率，用于需要高热导率的应用，但在300℃后温度迅速下降。最重要的是它的毒性限制了它的发展。
3）。氮化铝
AlN有两个非常重要的特性值得注意：一是高导热性，二是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使表面有很薄的氧化层，也会影响导热性。只有严格控制材料和工艺，才能生产出一致性好的AlN基板。目前相对于Al2O3，AlN的价格相对较高，这也是制约其发展的一个小瓶颈。但是，随着经济的好转和技术的升级，这个瓶颈最终会消失。
基于以上原因可知，氧化铝陶瓷以其优越的综合性能在微电子、电力电子、混合微电子、功率模块等领域仍处于主导地位，应用广泛。
2.按制造工艺
1).HTCC（高温共烧陶瓷）
HTCC也称为高温共烧多层陶瓷。制造过程与 LTCC 非常相似。主要区别在于HTCC的陶瓷粉没有添加到玻璃材料中。因此，HTCC必须在1300～1600℃的高温下干燥硬化。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。主要材料有钨、钼、锰等，熔点高但导电性差，最后层压烧结成型。
2).LTCC（低温共烧陶瓷）
LTCC又称低温共烧多层陶瓷基板。该技术必须先将无机氧化铝粉末与约30%~50%的玻璃材料与有机粘合剂混合，使其均匀混合成泥状浆料。用刮刀将浆料刮成片状，再经过干燥过程形成一片薄薄的生胚，再根据各层的设计钻孔，作为各层的信号传输。LTCC的内部电路采用丝网印刷技术分别在绿胚上填孔和印刷电路。内外电极可分别使用银、铜、金等金属。在850～900℃的烧结炉中烧结即可完成。
3) DBC（直接键合铜）
直接键合铜技术使用铜的含氧共晶溶液将铜直接沉积在陶瓷上。基本原理是在沉积过程之前或期间在铜和陶瓷之间引入适量的氧气。在1065℃～1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液。DBC 技术利用这种共晶液体与陶瓷基板发生化学反应，生成 CuAlO2 或 CuAl2O4。此外，它还渗入铜箔，实现陶瓷基板和铜板的结合。
4).DPC（直接镀铜）
DPC也称为直接镀铜基板。以DPC基板技术为例：首先对陶瓷基板进行预处理和清洗，利用专业的薄膜制造技术-真空镀膜法将其溅射并结合到陶瓷基板上的铜金属复合层上，然后用黄光光刻的光刻胶再曝光、显影、蚀刻，完成去膜工艺 制线 最后，通过电镀/化学镀沉积增加电路的厚度。去除光刻胶后，完成金属化电路。
5）。LAM（激光活化金属化）
使用高能激光束电离陶瓷和金属，让它们一起生长，使它们牢固地结合在一起。
LAM产品特点：
一个。更高的热导率
湾。更匹配的热膨胀系数
C。电阻较低的金属膜
d。基板的可焊性好，使用温度高
e. 绝缘性好
F。导电层厚度可在1μm～1mm内定制
G。低频损耗
H。高密度组装成为可能
一世。不含有机成分
j. 铜层不含氧化层
ķ。三维基板和三维布线按材质
1）。氧化铝
迄今为止，氧化铝基板是电子行业最常用的基板材料，由于其机械、热学和电学性能与大多数其他氧化物陶瓷相比，具有较高的强度和化学稳定性，并且原材料丰富。适用于各种技术制造和不同形状。
2）。铍
它比金属铝具有更高的热导率，用于需要高热导率的应用，但在300℃后温度迅速下降。最重要的是它的毒性限制了它的发展。
3）。氮化铝
AlN有两个非常重要的特性值得注意：一是高导热性，二是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使表面有很薄的氧化层，也会影响导热性。只有严格控制材料和工艺，才能生产出一致性好的AlN基板。目前相对于Al2O3，AlN的价格相对较高，这也是制约其发展的一个小瓶颈。但是，随着经济的好转和技术的升级，这个瓶颈最终会消失。
基于以上原因可知，氧化铝陶瓷以其优越的综合性能在微电子、电力电子、混合微电子、功率模块等领域仍处于主导地位，应用广泛。
2.按制造工艺
1).HTCC（高温共烧陶瓷）
HTCC也称为高温共烧多层陶瓷。制造过程与 LTCC 非常相似。主要区别在于HTCC的陶瓷粉没有添加到玻璃材料中。因此，HTCC必须在1300～1600℃的高温下干燥硬化。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。由于其共烧温度高，金属导体材料的选择受到限制。主要材料有钨、钼、锰等，熔点高但导电性差，最后层压烧结成型。
2).LTCC（低温共烧陶瓷）
LTCC又称低温共烧多层陶瓷基板。该技术必须先将无机氧化铝粉末与约30%~50%的玻璃材料与有机粘合剂混合，使其均匀混合成泥状浆料。用刮刀将浆料刮成片状，再经过干燥过程形成一片薄薄的生胚，再根据各层的设计钻孔，作为各层的信号传输。LTCC的内部电路采用丝网印刷技术分别在绿胚上填孔和印刷电路。内外电极可分别使用银、铜、金等金属。在850～900℃的烧结炉中烧结即可完成。
3) DBC（直接键合铜）
直接键合铜技术使用铜的含氧共晶溶液将铜直接沉积在陶瓷上。基本原理是在沉积过程之前或期间在铜和陶瓷之间引入适量的氧气。在1065℃～1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液。DBC 技术利用这种共晶液体与陶瓷基板发生化学反应，生成 CuAlO2 或 CuAl2O4。此外，它还渗入铜箔，实现陶瓷基板和铜板的结合。
4).DPC（直接镀铜）
DPC也称为直接镀铜基板。以DPC基板技术为例：首先对陶瓷基板进行预处理和清洗，利用专业的薄膜制造技术-真空镀膜法将其溅射并结合到陶瓷基板上的铜金属复合层上，然后用黄光光刻的光刻胶再曝光、显影、蚀刻，完成去膜工艺 制线 最后，通过电镀/化学镀沉积增加电路的厚度。去除光刻胶后，完成金属化电路。
5）。LAM（激光活化金属化）
使用高能激光束电离陶瓷和金属，让它们一起生长，使它们牢固地结合在一起。
LAM产品特点：
一个。更高的热导率
湾。更匹配的热膨胀系数
C。电阻较低的金属膜
d。基板的可焊性好，使用温度高
e. 绝缘性好
F。导电层厚度可在1μm～1mm内定制
G。低频损耗
H。高密度组装成为可能
一世。不含有机成分
j. 铜层不含氧化层
ķ。三维基板和三维布线
