一直有小白分不清DRAM缓存和SLC模拟缓存的区别，这里再说明一下。DRAM缓存芯片就是内存缓存芯片，带电时保持数据，固态的DRAM的作用是存储名为“FTL”的闪存映射表，表达闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系，这个映射表可以粗略的理解为目录表加转换表。一些中低端固态没有DRAM硬件就是HMB技术，它们需要向操作系统申请电脑的内存来作为自己的DRAM缓存，当然申请到的DRAM大小没有自带的空间大，又是经过操作系统，所以HMB技术节省了DRAM硬件成本也增加了技术复杂性、增加了固态硬盘的读写延迟。

真正起到写入加速左右的是SLC模拟缓存。在SLC、MLC颗粒固态前并不存在SLC模拟机制，他们的直写速度已经达标，在TLC颗粒固态上市后，其直写速度已经与SLC、MLC形成代差，为了更好的性能表现，所以让部分容量工作在SLC鸡血性能模式下，这就是SLC模拟缓存机制，也就是缓内性能，TLC直写叫做缓外性能，这部分容量也叫做SLC模拟缓存大小，比如三星喜欢SLC模拟缓存在100G以上，西数闪迪喜欢12G的SLC模拟缓存，也有全盘SLC模拟的产品。SLC模拟空间内不会永久保存数据，主控在空闲时就会把SLC模拟空间里的数据搬运到普通TLC模式的空间里，这就是SLC缓存清扫，所以SLC模拟缓存不是越大越好，因为SLC缓内清扫会造成主控工作量增多、数据写入放大、增加闪存损耗。个人倾向于小SLC模拟缓存加大（缓外）直写的方案，可惜有些无良厂商喜欢反向操作。

mlc时代也有slc模拟的，我的第二块固态arc100就是全盘模拟slc，19年发现了数据出错问题，虽然不知道是不是盘的问题，保险起见目前扔下载机上挂bt了。全盘模拟还是被那些垃圾主控垃圾颗粒的杂牌给玩坏了，我个人觉得现在随着主控性能提升，在大容量固态上使用全盘模拟也不是很大的问题，能保证一个gc 8 900的速度对于日常使用来说问题不大，西数能保证gc 1.1g的速度就挺好，问题就是价格实在太贵，镁光是属于完全放弃治疗，oem抽到镁光就捏着鼻子用吧，零售直接不考虑。长存这个4.0全盘模拟有点可惜了，大概是没有精力调教固件？

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学习了

吧主能不能给个建议是在闲鱼370块买全新的500g的海力士pc711 还是399块的sn570呢。 我r9000p原装的就是这款海力士pc711。

前排。。。