骊微电子推出SVT20240NT N沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBF TO-220场效应管。
■ 72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V
■ 开关速度快
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 提升了dv/dt能力
■ 72A,200V,RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V
■ 开关速度快
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
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