JE，理论最小重复单元3x3x2=18b/b，串行数电，工频2红石刻，可有限堆叠可无限密铺。堆叠上限7层。
五个月前搓的，现在才发。说是固态硬盘，其实只是做了里面的NAND堆栈的基本单元而已。用起来也蛮蛋疼的。
很巧妙的在不同单元间共用了所有的线路，把读取、写入数据线给垂直放置了，顶端读取，底部写入。
同一时间只能读取写入一层的数据。最小写入位宽2b，最小读取位宽2b（注意，此时写入和读取并没有在同两组单元上）。
非工作状态（锁存结构未通电）。示读取控制线（白）、写入控制线（蓝）、读取数据线（黄）、写入数据线（红）。
下图为4个单元密铺的示意图（顶部）。

下图为4个单元密铺的示意图（示写入数据线）。

下图为7层密铺的示意图。

下图为基本功能单元的结构示意图。

可以看到控制逻辑和我之前的NAND固态硬盘是一样的，区别只是把每层读取写入线共用了。这个共用的操作使用了台阶只能单向向上传递红石信号的特性，从而在单元内实现共用读写线，而在空间上分离了外部读写线。
后续想改善的话，需要增加层译码器、伪字线等结构。前者负责控制同一时间内只读写一层，后者可以使读写的单元一致化，而不是像现在这样子，读写的单元是错开的。