代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供IRF540NPBF技术参数详解
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):33A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 16A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):71nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1960pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):130W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220AB
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):33A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 16A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):71nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1960pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):130W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220AB