二、接下来再来瞅瞅DRAM的作用
1.DRAM缓存的主要作用是存储FTL闪存映射表。
一般来讲，足量的消费级有缓盘中，DRAM和NAND颗粒的容量比例为1000:1。FTL在SSD中，就像一本书的目录一样，储存着颗粒中各个block和page的映射关系；由于DRAM的读写速度要远远高于NAND颗粒的速度，所以咱们想要读写NAND颗粒中的数据时，可以通过FTL快速找到相应位置，从而提高一块固态硬盘的随机读写速度。对顺序读写速度基本没啥影响。

大家千万别信有的二把刀KOL说什么旗舰盘因为是有独立缓存才大容量写入不掉速啥的，那主要是SLC Cache缓存的功劳，属于另外一个问题了，谁说这话拉黑谁，准没错。
2.DRAM的第二个作用是在脏盘状态下提高读写性能，缓解写入放大的问题。
同时NAND颗粒的物理特性决定了它不能覆盖写入，一般来说，其擦除以block块为单位，而写入以page页为单位。

page中含有非常多的存储单元，是闪存颗粒写入数据的最小单位；block是page的上级单位，一个block中有很多个page。

如果我们要对一个已有数据的page进行写入，那么必须先要把这个page所在的block中的数据读出，暂时保存到一个空白的block中，待第一个block清空后再把所有数据写进去。
这个先读再擦后写（READ-ERASE-WRITE）的过程会造成写入放大问题，进而会消耗闪存的写入寿命，同时在写入过程中还会提高写入延迟、影响写入速度。
而有缓盘中的DRAM缓存由于速度、延迟等方面的性能明显要好于NAND颗粒，所以在向一个block写入数据的过程中，如果block中的page中已有数据，那么可以使用DRAM作为中转站，先将page中的数据转移到DRAM中，然后将block整个擦成空白块后填入需要写入的新数据，最后将DRAM中转站里保存的原page数据挪到其他block里。
发现了吗？在这个过程中由于DRAM的参与，减少了一部分对NAND颗粒的写入量，同时还加快了整个R-E-W的过程，减少了写入延迟。
同理，当SLC Cache容量耗尽时，DRAM也能在垃圾回收过程中起到类似作用，使得其在边腾空SLC Cache、边写入新数据的过程中性能发挥更稳定。

三、最后再来说说无缓盘是咋回事
国产固态硬盘大量使用的HMB无缓方案，会使用一小部分电脑内存（40MB以内）来替代外置DRAM缓存的作用，对于普通家用用户轻度使用的场景，和有缓盘并没有什么两样。

实际上有着SLC Cache技术的加持，有缓盘与无缓盘在中轻度使用场景中很难有可察觉的区别，反正目前国内外品牌的PCIe4.0 SSD都能跑到7000MB/s以上的顺序读取满速，SLC缓内4K随机读取速度也都能达到90MB/s左右。
那么有了朋友要问了，有缓盘与无缓盘的随机性能到底差了多少？
这玩意儿我还真实际测试过，就以大家比较熟悉的QD1 4K随机读写性能举例吧。
像Solidigm P44 Pro、三星SN850X、三星990 Pro这类有缓旗舰盘搭配了外置DRAM后，缓外Q1T1 4K真实随读速度能达到65MB/s以上。相较而言，国产PCIe4.0 HMB SSD的速度大多在30-40MB/s之间，PCIe4.0有缓SSD的速度大多在55MB/s上下的样子。

而如果使用EZFIO或者SNIA SSS-PTS等专业测试方法对比的话，还可以发现有缓盘在高负载读写的情况下，其延迟表现也要比无缓盘强一些。
再举个简单的例子，大家可以使用3DMark或者PCMark 10对自己的SSD进行测试，在空盘下有缓盘与无缓盘的分数差距并不会很明显，但是在SSD高占用的情况下，无缓盘的性能损失会比有缓盘更加明显。
还有就是在ezFIO测试时，使用128K数据随机写入填盘两遍的预处理过程中，990 Pro这种有缓盘可以达到300MB/s左右的速度，无缓盘可能就只有40MB/s左右了。
不过不用担心，还是那句话，游戏用户和中轻度负载用户不大会察觉到这个区别，只有跑分的时候差距才比较明显。

四、有缓盘/无缓盘推荐
总的来说，在选购电脑系统盘时候，咱们就秉承俩原则就行：
预算充足散热好，选有缓盘；
预算有限要低温，选无缓盘。
目前公认的消费级旗舰有缓盘无非就3家，西数SN850X、三星990 Pro和SK海力士P41（Solidigm P44 Pro）
除了P41没测过，其他这几块之前做过横评，其实性能方面旗舰盘之间属于大差不差了，毕竟都是顶尖产品，谁也不会比谁弱太多。
不过其中个人比较喜欢SN850X和SK海力士家的P41、Solidigm P44 Pro。
三星在市场做大之后有点太追求利润率而敷衍了事了，对颗粒和固件明显不如PCIe3.0时代上心，0E门的问题出现后口碑大跌，直到最新的V8颗粒才完全解决了0E隐患，不过2T版本能不能买到V8颗粒还是要看概率的。
倒是4T的990 Pro是真不错，用上了新颗粒，还是市面上唯一的单面4T有缓盘，对追求极限、又不想用企业级SSD的朋友蛮适合。
Solidigm P44 Pro和SK海力士 P41属于硬件相同、固件略有差异的换皮版本，其中Solidigm由于继承了Intel的技术，在固件实力方面更强。
不过可惜的是听说Solidigm面临大裁员，能不能被SK海力士保留还是两说，可能P44 Pro没有后续型号发展了，个人有点担忧质保和后续固件升级的问题。
综合来看西数SN850X虽然主控制程更老，发热大了点，但总体给人的感觉还是更稳一点儿。
不过出于性价比方面考虑，个人其实更推荐游戏佬和垃圾佬直接用国产的一系列无缓SSD完事儿了，毕竟真的要便宜太多太多。在使用体验差不太多的情况下，还是钱包更重要点儿。
预算够、又想支持国产SSD事业的兄弟肯定要优先看看致态的TiPlus7100，毕竟是咱们国产NAND厂商长江存储旗下的唯一亲儿子品牌。
然后还想追求更高的性价比的话，那就可以考虑第三方国产SSD了，这里推荐几款有自行封装NAND颗粒能力的厂商，比如雷克沙（江波龙）、光威（嘉合劲威、太极）、宏碁掠夺者（佰维）之类。
这几家虽然晶圆还是长江存储出品，不过起码自己封装的颗粒自己用，用最朴素的想法来推断，正常情况下颗粒的封测标准大概率是要更可控一点儿。。。吧？
最后这里把海康C4000也列上，主要这家比较特殊。国企与国企之间的PY勾兑懂的都懂，这也使得其颗粒来源渠道和质量都相当有保障，再说了联芸主控就是人自家集团控股的产品，固件方面肯定也没得挑毛病。

有钱的上有缓，没钱的用无缓。一分钱一分货就这么简单

1 发烧友不会选择使用消费级固态，发烧友使用企业级固态
2 如果只是WIN环境办公，游戏等普通应用，有没有DRAM你单纯的使用是不太容易感知的，但是不太容易感知不代表就差不多，实际上在真实使用环境中一旦出现大量混合随机读写的场景，DRAMLESS的响应延迟会暴涨，极端情况下延迟比DRAM方案高几十倍，达到上百甚至几百μs,这个时候就可能会出现卡顿或短暂IO无响应等等不可预料情况。
3 DRAMLESS方案产品可靠性和一致性比DRAM方案低，并且写入放大视情况会高很多，变相削减了硬盘的可靠性和使用寿命，如果闪存颗粒和主控固件，ECC校验等都很给力，那也许削减的寿命你无法感知，但一旦遇到杂牌模组厂的产品，这些工业垃圾通常使用品质低于原厂的闪存颗粒和公版固件，出问题的概率会大幅度上升

我用这个全盘模拟slc的三星有缓盘做系统和下载中间盘，用了很多年了，也没坏

有省流么为了使用体验、寿命和质量而言再加一两百也不是不能接受

不错，学习以后，我从二把刀变成了头把刀。

学习了

然而我是迷你主机，散热不咋就没得选了

家里p44pro,铠侠rc20,致态ti7100还有笔记本自带的sn740都有。
实测下来室温20度时候p44pro不管是性能还是温度都是最好的，常态下温度40度比致态ti7100常态下53温度低多了。接下来就是sn740这个盘温度基本也在43度左右高传输下温度会在60。
所以有钱直接p44pro不管有缓无缓这个盘不管性能还是温度都是领先一个梯度的产品，至于rc20温度真的高，省钱台式可以整个。

纯粹当系统盘的话是买p31还是sn770或者什么牌子，只考虑稳定性和温度，现在是一块几年前买的西数256的sn750

笔记本，sn850x 2t当系统盘和工作盘，达墨双子座当游戏盘，唯一一个散热位给的达墨

其实你可以想一下，如果缓存作用几乎为零那厂家根本没必要整这么个设计出来。实测有缓的确实要快那么一些。