NTH4L045N065SC1：通孔 650V 55A N通道晶体管
型号：NTH4L045N065SC1
封装：TO-247-4
类型：碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
功率耗散（最大值）：187W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4
星际金华，明佳达供应，回收NTH4L045N065SC1，IKZA75N65EH7XKSA1。
IKZA75N65EH7XKSA1：IGBT晶体管 沟槽型场截止 650V 80A 338W
型号：IKZA75N65EH7XKSA1
封装：TO-247-4
类型：IGBT晶体管
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，75A
功率 - 最大值：338 W
开关能量：750µJ（导通），840µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：152 nC
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4