NTH4L045N065SC1:通孔 650V 55A N通道晶体管
型号:NTH4L045N065SC1
封装:TO-247-4
类型:碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管
产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
功率耗散(最大值):187W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-4
星际金华,明佳达供应,回收NTH4L045N065SC1,IKZA75N65EH7XKSA1。
IKZA75N65EH7XKSA1:IGBT晶体管 沟槽型场截止 650V 80A 338W
型号:IKZA75N65EH7XKSA1
封装:TO-247-4
类型:IGBT晶体管
产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,75A
功率 - 最大值:338 W
开关能量:750µJ(导通),840µJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:152 nC
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-4
型号:NTH4L045N065SC1
封装:TO-247-4
类型:碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管
产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
功率耗散(最大值):187W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-4
星际金华,明佳达供应,回收NTH4L045N065SC1,IKZA75N65EH7XKSA1。
IKZA75N65EH7XKSA1:IGBT晶体管 沟槽型场截止 650V 80A 338W
型号:IKZA75N65EH7XKSA1
封装:TO-247-4
类型:IGBT晶体管
产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,75A
功率 - 最大值:338 W
开关能量:750µJ(导通),840µJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:152 nC
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-4