SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=18c4022f340e0cf3a0f74ef33a47f23d/8493912f0708283897a67329fe99a9014d08f155.jpg?tbpicau=2024-09-19-05_2744847f2045162d0b98187297d095bc)
应用简介:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势:低导通电阻:减少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。
适用封装:SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块,如电源开关模块、电荷控制模块等。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=18c4022f340e0cf3a0f74ef33a47f23d/8493912f0708283897a67329fe99a9014d08f155.jpg?tbpicau=2024-09-19-05_2744847f2045162d0b98187297d095bc)
应用简介:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势:低导通电阻:减少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。
适用封装:SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块,如电源开关模块、电荷控制模块等。