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UT3N06G-AE3-R-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
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VBsemi-MOS
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UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明:N沟道,60V,4A,导通电阻85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT23。
应用简介:UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。
其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。
适用领域与模块:适用于电源开关、电机驱动和LED驱动等领域模块,特别适合中等功率要求的场景。
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