VS-GT75LA60UF 是 650V、81A、231W "低侧斩波 "IGBT 模块，采用 SOT-227 封装，底座安装。
VS-GT75LA60UF：650V 沟槽型场截止 单斩波器 IGBT 模块，SOT-227
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：单斩波器
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：94 A
功率 - 最大值：230 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）：80 µA
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227
星际金华，明佳达供应，回收VS-GT75LA60UF【IGBT 模块】FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7P 是PrimePACK™3+ B-series 模块，采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7 和第七代发射极控制二极管，带有温度检测 NTC 和预涂导热介质。
FF1800R23IE7P：PrimePACK™3+ B-series IGBT 模块
电气特性：
- VCES = 2300 V
- IC nom = 1800 A / ICRM = 3600 A
- 沟槽栅 IGBT7
- Tvj op = 150°C
- 过载操作达 175°C
- 低 VCEsat
- 低开关损耗
- 高电流密度
- 低电感设计
机械特性：
- 封装的 CTI > 400
- 高爬电距离和电气间隙
- 高功率密度
- 预涂导热介质