高耐压和低导通电阻；高热传导系数和耐高温；快速开关速度
瞻芯电子在第三代半导体材料SiC MOSFET领域取得显著进展，成功掌握了6英寸SiC MOSFET产品及工艺平台。通过持续的技术迭代，瞻芯电子的SiC MOSFET具有高耐压和低导通电阻；高热传导系数和耐高温；快速开关速度等特性，且采用TO247-4和TO263-7等封装，减小体积、降低导通损耗，并提高焊接便利性。
特性：
高耐压和低导通电阻
高热传导系数和耐高温
快速开关速度
车规级可靠性认证：部分产品符合AEC-Q101标准
封装优化：采用TO247-4和TO263-7等封装，减小体积、降低导通损耗
VDS电压范围：600V~1700V
应用：
适用于风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域
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