ROHM推出的碳化硅（SiC）MOSFET，展现了卓越的性能与效率。该器件不仅能在高速运行的同时保持低开关损耗，还得益于其低导通电阻和小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷，这对于提升整体能效至关重要。SiC材料本身具备显著优势，包括导通电阻随温度升高而增加的幅度极小，相较于硅（Si）器件在温度升高时导通电阻可能上升两倍以上的情况，SiC器件在封装微型化和节能方面展现出更为出色的表现。特别是最新推出的第4代SiC MOSFET，在显著提升短路耐受时间的同时，还达成了业界领先的超低导通电阻，加之其低开关损耗和对15V栅-源电压的支持，为设备的进一步节能提供了有力支撑，标志着SiC技术在高效能电力电子应用中的又一重大进步。
特性：
低导通电阻
快速开关速度；快速反向恢复
易于并联；易于驱动
封装类型：TO-247；TO-263；TO-3PFM
电压范围：650V~1700V
应用：
On-Board Charger；太阳能发电逆变器；xEV充电桩；主机逆变器