型号: FDMS9600S 丝印: VBQA3303G 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: 2个N沟道 - 额定电压(VDS): 30V - 额定电流(ID): 60A - 开通电阻(RDS(ON)): 4.3mΩ@10V, 4.8mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth): 1.2V - 封装类型: DFN8(5X6) 应用简介: 这款FDMS9600S MOSFET是一款高功率N沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于大功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：用于高功率开关电源、DC-DC变换器、

型号：B09N03A 丝印：VBE1307 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 额定电流：60A - RDS(ON)：10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： B09N03A（丝印：VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： B09N03A是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为60A，RDS(ON)为10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V，

NTF2955PT1G详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-60V - 额定电流：-6.5A - 导通电阻：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：-1~-3Vth (V) - 封装类型：SOT223 应用简介： NTF2955PT1G是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗

BSP315P详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-60V - 额定电流：-6.5A - 导通电阻：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：-1~-3Vth (V) - 封装类型：SOT223 应用简介： BSP315P 是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。该器件具有负的额定电压和额定电流特性，能够实现可靠且高效的电流开关功能。 通过控制 20Vgs (±V) 的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。低导通电阻有助于降低

型号：AO3416 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：30V - 最大电流：6.5A - 导通电阻：30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.2~2.2Vth - 封装：SOT23 应用简介： AO3416是一款N沟道MOSFET，适用于低电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6.5A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于低压电源开关和电池管理系统等。 2. 照明模块：可用于LE

型号: FDN339AN-NL 丝印: VB1240 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: N沟道 - 额定电压(VDS): 20V - 额定电流(ID): 6A - 开通电阻(RDS(ON)): 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth): 0.45~1V - 封装类型: SOT23 应用简介: 这款FDN339AN-NL MOSFET是一款低压N沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。 -

CJ8810详细参数说明： - 极性：N沟道 - 额定电压：20V - 额定电流：6A - 导通电阻：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 门源电压：8Vgs (±V) - 阈值电压：0.45~1Vth (V) - 封装类型：SOT23 应用简介： CJ8810是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制8Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提

型号：AO4425 丝印：VBA2311 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：P沟道MOSFET - 最大耐压：-30V - 最大电流：-11A - 导通电阻：10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：-1.42Vth - 封装：SOP8 应用简介： AO4425是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-11A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模

型号: ME9926 丝印: VBA3222 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: 2个N沟道 - 额定电压(VDS): 20V - 额定电流(ID): 8A - 开通电阻(RDS(ON)): 15mΩ@10V, 22mΩ@4.5V, 30mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth): 0.9V - 封装类型: SOP8 应用简介: 这款ME9926 MOSFET是一款双N沟道类型的MOSFET，适用于需要双通道功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力，适用于需要高功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：用于高功率开关电源、DC-DC变

型号：AP9971GH 丝印：VBE1638 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 额定电流：45A - RDS(ON)：24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：1.8V - 封装类型：TO252 应用简介： AP9971GH（丝印：VBE1638）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： AP9971GH是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为60V，额定电流为45A，RDS(ON)为24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V，门源

型号: SUD50P06-15L-GE3 丝印: VBE2625 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: P沟道 - 额定电压(VDS): -60V - 额定电流(ID): -50A - 开通电阻(RDS(ON)): 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth): -1.76V - 封装类型: TO252 应用简介: 这款SUD50P06-15L-GE3 MOSFET是一款P沟道类型的高功率MOSFET，适用于负极性电源应用场景。它具有高额定电压和额定电流能力，适用于需要高功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：用于负极电源开关、DC-DC变换器、

型号：Si2338DS-T1-GE3 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 额定电流：6.5A - RDS(ON)：30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压范围：1.2V~2.2V - 封装类型：SOT23 应用简介： Si2338DS-T1-GE3（丝印：VB1330）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： Si2338DS-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET，适用于电感负载、开关电源和直流-直流转换器等需要高电流承载能力和低导通电阻的

型号：IRLML2803TRPBF 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23 该产品具有以下详细参数说明： - 类型：N沟道功率场效应管 - 最大耐压：30V - 最大漏极电流：6.5A - 导通时的电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V - 栅极电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）范围：1.2V至2.2V - 封装：SOT23 该产品适用于以下领域模块： - 电源开关：IRLML2803TRPBF可用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。 - 电池管理：适用于电

型号：FDS8858CZ-NL 丝印：VBA5311 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N+P沟道 - 额定电压：±30V - 额定电流：10A / -8A - RDS(ON)：11mΩ / 21mΩ @ 10V，13mΩ / 28mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：1.72V / 1.44V - 封装类型：SOP8 应用简介： FDS8858CZ-NL（丝印：VBA5311）是VBsemi公司生产的一款N+P沟道MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： FDS8858CZ-NL是一款N+P沟道MOSFET，具有高额定电流和低导通电阻特性。主要参数包括额定电压为±30V，额定电流为10A

IRLML2402TRPBF详细参数说明: - 极性: N沟道 - 额定电压: 20V - 额定电流: 6A - 导通电阻: 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 门源电压: 8Vgs (±V) - 阈值电压: 0.45~1Vth (V) - 封装类型: SOT23 应用简介: IRLML2402TRPBF是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制8Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗

型号：IRF7413TRPBF 丝印：VBA1311 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：30V - 最大电流：12A - 导通电阻：12mΩ @10V, 15mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：0.8~2.5Vth - 封装：SOP8 应用简介： IRF7413TRPBF是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和大电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为12A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于中等电压的电源开关和电池管理系统等。 2. 电机

型号：IRF540NSTRPBF 丝印：VBL1104N 品牌：VBsemi 参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263 该产品具有以下详细参数说明： - 类型：N沟道功率场效应管 - 最大耐压：100V - 最大漏极电流：45A - 导通时的电阻（RDS(ON)）：32mΩ@10V, 34mΩ@4.5V - 栅极电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：2V - 封装：TO263 该产品适用于以下领域模块： - 电源开关：IRF540NSTRPBF可用于电源开关模块中，用于实现电源的控制和转换。 - 电机驱动：适用于各种电机驱动

型号：BSS84-7-F 丝印：VB264K 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-60V - 额定电流：-0.5A - RDS(ON)：3000mΩ @ 10V，3680mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：-1.87V - 封装类型：SOT23 应用简介： BSS84-7-F（丝印：VB264K）是VBsemi公司生产的一款P沟道MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： BSS84-7-F是一款P沟道MOSFET，主要参数包括额定电压-60V，额定电流-0.5A，RDS(ON)为3000mΩ @ 10V，3680mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压

型号：CEM4435 丝印：VBA2317 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-7A - RDS(ON)：23mΩ @ 10V，29mΩ @ 4.5V，66mΩ @ 2.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：-1.37V - 封装类型：SOP8 应用简介： CEM4435（丝印：VBA2317）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： CEM4435是一款具有低电导阻和高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-7A，RDS(ON)为23mΩ @ 10V，2

型号：DMG6968U-7 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23 该产品具有以下详细参数说明： - 类型：N沟道功率场效应管 - 最大耐压：30V - 最大漏极电流：6.5A - 导通时的电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V - 栅极电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）范围：1.2V至2.2V - 封装：SOT23 该产品适用于以下领域模块： - 电源开关：DMG6968U-7可用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。 - 电机控制：适用于各种电机

FDC6306P详细参数说明： - 极性：2个P沟道 - 额定电压：-20V - 额定电流：-4A - 导通电阻：75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V - 门源电压：12Vgs (±V) - 阈值电压：-1.2~-2.2Vth (V) - 封装类型：SOT23-6 应用简介: FDC6306P是一款双P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制12Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降

型号：APM3048ADU4 丝印：VBE5638 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N+P沟道MOSFET - 最大耐压：±60V - 最大电流：35A/-18A - 导通电阻：38mΩ/58mΩ @10V, 45mΩ/70mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：±1~3Vth - 封装：TO252-5 应用简介： APM3048ADU4是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±60V，最大电流为35A/-18A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于需要同时控制N

型号：50N04 丝印：VBE1405 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：40V - 最大电流：85A - 导通电阻：4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.85Vth - 封装：TO252 应用简介： 50N04是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电流的应用。其最大耐压为40V，最大电流为85A，具有低导通电阻和优异的性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于开关电源、电池管理和电动汽车充电器等。 2. 转换器模块：

AO4828详细参数说明： - 极性：2个N沟道 - 额定电压：60V - 额定电流：6A - 导通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：1.5Vth (V) - 封装类型：SOP8 应用简介： AO4828是一款双N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关码的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，

型号：SI4953DY-T1-E3 丝印：VBA4338 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：2个P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-7A - RDS(ON)：35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：-1.5V - 封装类型：SOP8 应用简介： SI4953DY-T1-E3（丝印：VBA4338）是VBsemi公司生产的一款双P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： SI4953DY-T1-E3是一款具有高压、大电流承载能力的双P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-7A，RDS(ON)为35mΩ @

型号：AP4563GH 丝印：VBE5415 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N+P沟道MOSFET - 最大耐压：±40V - 最大电流：50A/-50A - 导通电阻：15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：±1Vth - 封装：TO252-5 应用简介： AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±40V，最大电流为50A/-50A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于负责电流控制和功率开关的

型号：MTD6P10ET4 丝印：VBE2102M 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-100V - 额定电流：-10A - RDS(ON)：188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：-1.77V - 封装类型：TO252 应用简介： MTD6P10ET4（丝印：VBE2102M）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： MTD6P10ET4是一款高压、高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-100V，额定电流为-10A，RDS(ON)为188mΩ @ 10V，195mΩ @

型号：SQ9945BEY-T1-GE3 丝印：VBA3638 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：2个N沟道MOSFET - 最大耐压：60V - 最大电流：6A - 导通电阻：27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.5Vth - 封装：SOP8 应用简介： SQ9945BEY-T1-GE3是一款具有双N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为60V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：可用于DC-DC变换器、稳压器

型号：ME9435 丝印：VBA2333 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：P沟道MOSFET - 最大耐压：-30V - 最大电流：-6A - 导通电阻：40mΩ @10V, 54mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：-1.5Vth - 封装：SOP8 应用简介： ME9435是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-6A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 低压电源管理模块：可用于电池供电设备和便携式电子产品等负极电源管理

型号：DMP3099L-7 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-5.6A - RDS(ON)：47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：-1V - 封装类型：SOT23 应用简介： DMP3099L-7（丝印：VB2355）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： DMP3099L-7是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-5.6A，RDS(ON)为47mΩ @ 10V，56m

型号：AO6400 丝印：VB7322 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：30V - 最大电流：6A - 导通电阻：30mΩ @10V, 40mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.2Vth - 封装：SOT23-6 应用简介： AO6400是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多种领域的模块设计，包括但不限于： 1. 电源管理模块：适用于低压电源管理，如电池供电设备和便携式电子产品。 2. 电

型号：AO3419 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-20V - 额定电流：-4A - RDS(ON)：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V - 门源电压范围：±12V - 门源阈值电压：-0.81V - 封装类型：SOT23 应用简介： AO3419（丝印：VB2290）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： AO3419是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)为57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V，

型号：MDS9754URH 丝印：VBA5325 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N+P沟道MOSFET - 最大耐压：±30V - 最大电流：9A/-6A - 导通电阻：15mΩ/42mΩ @10V, 19mΩ/50mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：±1.65Vth - 封装：SOP8 应用简介： MDS9754URH是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±30V，最大电流为9A/-6A，具有低导通电阻和高性能。 该器件广泛用于多个领域的模块设计，包括但不限于： 1. 电源管理模块：可用于DC-DC变换器和

名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 额定电流：4A - RDS(ON)：85mΩ @ 10V，96mΩ @ 4.5V - 门源阈值电压范围：1V~3V - 门源电压范围：±20V - 封装类型：SOT23 应用简介： SI2308DS-T1-GE3是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)为85mΩ @ 10V，96mΩ @ 4.5V，门

名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-20V - 额定电流：-4A - RDS(ON)：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V - 门源阈值电压：-0.81V - 门源电压范围：±12V - 封装类型：SOT23 应用简介： APM2301CAC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： APM2301CAC-TRL是一款具有低压降和高电流承载能力的P沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)为57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V

IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数： - 最大耐压：-100V - 最大漏极电流：-18A - 导通时的电阻（RDS(ON)）：167mΩ@10V, 178mΩ@4.5V - 栅极电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：-1.6V - 封装：TO220 该产品适用于以下领域模块： - 电源开关：IRF9530NPBF在电源开关模块中可用作主要器件，实现电源的控制和转换。 - 电机控制：适用于需要控制电机转动的模块中，提供稳定的功率放大和驱动能力。 - 电源管理：在电源管理模块中，可以使用IRF9530NPBF来

UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。 应用简介：UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。 其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。 适用领域与模块：适用于电源开关、电机驱动和LED驱动等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：-1.37V；封装：SOP8 应用简介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P沟道MOSFET，适用于中功率应用的开关控制。 具有低导通电阻，有助于降低功耗和热量产生。 常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。 优势：低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。 适用封装：SOP8封装适合需要中等功率控制的设计。 适用模块

SI3442CDV (VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。 应用简介：SI3442CDV是一款用于中功率N沟道MOSFET，常用于电源开关、电机驱动和稳压等领域模块。

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：-1.37V；封装：SOP8 应用简介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P沟道MOSFET，适用于中功率应用的开关控制。 具有低导通电阻，有助于降低功耗和热量产生。 常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。 优势：低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。 适用封装：SOP8封装适合需要中等功率控制的设计。 适用模块

SI3442CDV (VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。 应用简介：SI3442CDV是一款用于中功率N沟道MOSFET，常用于电源开关、电机驱动和稳压等领域模块。

SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。 应用简介：SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。 其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。 优势与适用领域：具有低导通电阻，适用于要求低功率损耗和高效率的领域，如电源开关、稳压和逆变器等模块。

SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：1.2~2.2V；封装：SOT23 应用简介：SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 是一款N沟道MOSFET，适用于中功率应用的开关控制。 具有适中的电流和导通电阻，使其在多种应用中表现出色。 常见的应用包括电源开关、电机驱动、LED驱动等。 优势：中功率应用：适用于中功率范围内的开关控制，如电源开关和电机驱动。 低导通电阻：低

SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。 应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。 其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。 优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。

SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23 应用简介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。 其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。 常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。 优势：低导通电阻：减少功耗，提高效率。 可靠性：VBsemi作为知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可

SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。 应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。 其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。 优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。

P2402CAG (VB7322)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6A；导通电阻：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：1.2V；封装：SOT23-6 应用简介：P2402CAG (VB7322) 是一款N沟道MOSFET，适用于需要中等功率电流控制的应用。 其中等导通电阻使其在多种应用中表现出色。 常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。 优势：适中的电流：适用于多种中等功率应用。 低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。 适用封装：SOT23-6封装适合空间有限

NTD5867NLT4G (VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。 应用简介：NTD5867NLT4G适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。 其高电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。 适用领域与模块：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。 高电流承载能力满足大电流需求。